强流脉冲电子束作用下单晶硅表层缺陷与结构变化.pdfVIP

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2017-09-16 发布于重庆
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强流脉冲电子束作用下单晶硅表层缺陷与结构变化.pdf

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第25 卷第 12 期无机材料学报 Vol. 25 No. 12 2010 年12 月 Journal of Inorganic Materials Dec. , 2010 文章编号: 1000-324X(2010)12-1313-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2010.01313 强流脉冲电子束作用下单晶硅表层缺陷与结构变化 1 1 1 1 1 2 王雪涛 , 关庆丰 , 顾倩倩 , 彭冬晋 , 李艳 , 陈波 (1. 江苏大学材料学院, 镇江 212013; 2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室, 长春 130033) 摘要: 为了研究超快变形诱发的非金属材料的微观结构状态, 利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对单晶硅进行了辐照处理, 并用透射电镜对电子束诱发的表层微观结构进行了分析. 实验结果表明, HCPEB 辐照后单晶 Si 表层形成了丰富的缺陷结构, 互相平行的螺位错和外禀层错是辐照后最为典型的缺陷结构; 同时HCPEB 辐照还诱发了密度很高的包括位错圈和SFT 在内空位簇缺陷, 幅值极大和应变速率极高的表面应力导致的{111}面整体位移可能是大量空位簇缺陷形成的根本原因. 此外, HCPEB 处理可在单晶Si 表面形成纳米和非晶混合结构. 关键词: 强流脉冲电子束; 单晶硅; 结构缺陷; 空位簇中图分类号: O77 文献标识码: A Defects and Microstructures in the Surface Layer of Single-crystal Silicon Induced by High-current Pulsed Electron Beam 1 1 1 1 1 2 WANG Xue-Tao , GUAN Qing-Feng , GU Qian-Qian , PENG Dong-Jin , LI Yan , CHEN Bo (1. College of Material Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China; 2. State Key Laboratory of Applied Optics, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130033, China) Abstract: In order to investigate the microstructures of nonmetallic material induced by high-speed deformation, the high-current puls