準分子雷射退火矽膜之凝固速率研究與分析.pdfVIP

建國科大學報：工程類 民國 97 年，27(4) ，13-30 準分子雷射退火矽膜之凝固速率研究 與分析 準分子雷射退火矽膜之凝固速率研究 與分析 郭啟全 明志科技大學 機械工程系暨機電工程研究所 摘要 運用準分子雷射結晶技術 (excimer laser crystallization, ELC)來製作低溫多晶 矽 (low-temperature polycrystalline silicon, LTPS)已經成為主流。由於矽膜相變化過 程將影響多晶矽之晶粒大小與結晶品質，因此 本研究建構一套具奈秒時間解析 (time-resolved)之原位(in-situ)線上光學檢測系統來檢測矽膜經準分子雷射照前後 矽膜相變化過程，並藉由所量測之波形來計算 液態矽之矽膜表面平均凝固速率 (solidification velocity) 。研究結果顯示，矽膜表面之液態矽之平均凝固速率於矽 膜部分熔化與矽膜全部熔化區域是不同。於矽膜部分熔化區域，矽膜表面之液態 矽之平均凝固速率隨著準分子雷射能量增加而減緩。於矽膜全部分熔化區域，矽 膜表面之液態矽之平均凝固速率顯著增加， 主要原因為液態矽處於極大過冷度。 關鍵詞：凝固速率，準分子雷射退火，矽膜 投稿日期：97 年01月 12日，修正日期： 97 年04月 01日，接受日期： 97 年05月 07日 13 建國科大學報 第二十七卷第四期 Solidification velocity in polycrystalline silicon thin films during excimer laser crystallization Chil-Chyuan Kuo Department of Mechanical Engineering, Mingchi University of Technology Abstract Excimer laser crystallization (ELC) is commonly employed to fabricate low-temperature polycrystalline silicon. A time-resolved in-situ optical system with nanosecond response time is developed to monitor and record the phase transformation process during ELC. The average solidification velocity of liquid silicon (liquid Si) is investigated from the optical spectra recorded by a fast oscilloscope. It is found that the average solidification velocities of liquid Si in the partial-melting and complete-melting regimes are fundamentally different. In the partial-melting regime, the average solidification velocity decreases with increasing excimer laser energy density; while in the complete-melting regime, it increas