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目 录
1.目的与任务……………………………………………………………………2
2.设计题目与要求……………………………………………………………………2
3.设计的方法与计算分析………………………………………………………2
3.1 74HC139芯片简介……………………………………………………………3
3.2电路设计………………………………………………………………………4
3.3功耗与延迟估算……………………………………………………………16
4. 电路模拟 ……………………………………………………………………… 21
4.1直流分析………………………………………………………………21
4.2 瞬态分析……………………………………………………………23
4.3 功耗分析……………………………………………………………………24
5.版图设计………………………………………………………………………… 27
5.1 输入级的设计………………………………………………………………27
5.2 内部反相器的设计…………………………………………………………27
5.3输入和输出缓冲门的设计…………………………………………………28
5.4内部逻辑门的设计…………………………………………………………29
5.5输出级的设计……………………………………………………………29
5.6连接成总电路图……………………………………………………………30
5.3总图检查……………………………………………………………30
6.版图整理………………………………………………………………………33
7.心得体会…………………………………………………………………33
8.参考文献………………………………………………………………………… 33
9.附录A ……………………………………………………………………………34
10.附录A …………………………………………………………………………35
集成电路课程设计
目的与任务
本课程设计是《集成电路分析与设计基础》的实践课程,其主要目的是使学生在熟悉集成电路制造技术、半导体器件原理和集成电路分析与设计基础上,训练综合运用已掌握的知识,利用相关软件,初步熟悉和掌握集成电路芯片系统设计→电路设计及模拟→版图设计→版图验证等正向设计方法。
设计题目与要求
2.1设计题目及其性能指标要求
器件名称:含两个2-4译码器的74HC139芯片
要求电路性能指标:
可驱动10个LSTTL电路(相当于25pF电容负载);
输出高电平时,|IOH|≤20μA,VOH,min=4.4V;
输出底电平时,|IOL|≤4mA,VOL,man=0.4V;
输出级充放电时间tr=tf ,整条电路链延时小于15ns;
工作电源5V,常温工作,工作频率fwork=30MHz,总功耗Pmax=150mW(整个芯片)。
2.2设计要求
独立完成设计74HC139芯片的全过程;
设计时使用的工艺及设计规则: MOSIS:mhp_n12;
根据所用的工艺,选取合理的模型库;
选用以lambda(λ)为单位的设计规则;
全手工、层次化设计版图;
达到指导书提出的设计指标要求。
设计方法与计算分析
74HC139芯片简介
74HC139是包含两个2线-4线译码器的高速CMOS数字电路集成芯片,能与TTL集成电路芯片兼容,它的管脚图如图1所示,其逻辑真值表如表1所示:
图1 74HC139芯片管脚图
表1 74HC139真值表
片选 输入 数据输出 Cs A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 0 0 0 0 1 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 × × 1 1 1 1 从图1可以看出74HC139芯片是由两片独立的2—4译码器组成的,因此设计时只需分析其中一个2—4译码器即可,从真值表我们可以得出Cs为片选端,当其为0时,芯片正常工作,当其为1时,芯片封锁。A1、A0为输入端,Y0-Y3为输出端,而且是低电平有效。
2—4译码器的逻辑表达式,如下所示:
74HC139的逻辑图如图2所示:
图2 74HC139逻辑图
电路设计
本次设计采用的是m12_125模型库的参数进行各级电路的尺寸计算,其参数如下:
NMOS: εox= 4.0×8.85×10-12 F/m μn=1215.74 cm2/Vs
tox=225×10-10 m Vtn=0.622490 V Cj=3.27 ×10-4 F
Cjsw=1.74×10-10 F
PMOS: εox= 4.0×8.85×10-12 F/m μp=361.
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