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V o l. 19 高 等 学 校 化 学 学 报 N o. 7
1 9 9 8 年 7 月 CH EM ICAL JOU RN AL O F CH IN E SE U N IV ER S IT IE S 1136～ 1139
氮化硼薄膜内应力的红外光谱研究
a , b a a a a b
赵永年 邹广田 王 波 何 志 朱品文 陶艳春
( a b )
吉林大学超硬材料国家重点实验室 , 超分子结构与谱学开放实验室 , 长春, 130023
( ) ( )
摘要 用射频 磁控溅射制备了立方氮化硼 薄膜. 光谱和电子衍射实验表明: 该
R F c BN F T IR
薄膜是纯的, 其结晶度很高. 光谱研究指出, 基板负偏压是 相形成的重要因素, 但也
F T IR c BN
由此产生了 薄膜的应力, 且负偏压越高, 产生的应力越大. 比较透射谱和反射谱的结果,
c BN c
薄膜表面层的应力小于内部的. 按照 形成的压力模型, 表面应力小到一定程度可能影响
BN c BN
的继续生长. 一个特制的分层结构 薄膜保留了由于应力造成的 的裂纹, 这个裂纹
c BN BN c BN
分布在一些同心圆上, 中心是缺陷或杂质, 同心圆之间有明显的分界线, 把 表层分割成许
c BN
多应力区.
关键词 立方氮化硼, 磁控溅射, 红外吸收谱, 内应力
分类号 64 1
O
的硬度仅次于金刚石, 而抗高温氧化性、化学稳定性和半导体特性优于金刚石. 同
c BN
时它的摩擦系数很小, 导热率高, 并且不象金刚石那样与铁有较强的亲和力, 所以很适合于
作刀具, 特别是加工铁基合金的刀具的涂层. 另外, 由于它具有很宽的禁带( = 6. 4 ) ,
E g eV
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