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技术专栏
Technology Column
doi : 103969/ j issn1003353x200905006
SiN 薄膜三阶非线性增强的研究
1 1 ,3 1 1 1
宋江婷 , 郭亨群 , 王加贤 , 吴志军 , 王国立 ,
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沈海波 , 徐骏 , 陈坤基 , 王启明
( 1. 华侨大学 信息科学与工程学院 , 福建 泉州 36202 1 ; 2 . 南京大学 物理学系 , 南京 2 10093 ;
3 . 中国科学院 半导体研究所 , 集成光电子国家联合重点实验室 , 北京 100083)
摘要 : 采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅 (ncSiSiNx ) 复
合薄膜 。通过 X 射线能谱 ( EDS) 、X 射线衍射仪 (XRD) 的测定 , 对薄膜进行了结构及所包含硅
晶粒大小的表征 。采用皮秒激光器运用单光束 Z 扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性
质的研究 , 测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为 10 - 8 esu 和10 - 8 m/ W量级 ,
并将薄膜这种三阶光学非线性的增强归因于量子限域效应 。
关键词 : 纳米硅镶嵌氮化硅薄膜 ; 射频磁控反应溅射 ; 光学非线性 ; 量子限域效应 ; Z 扫描
中图分类号: O4723 ; TN30592 文献标识码 : A 文章编号: 1003353X (2009)
Study on the ThirdOrder Nonlinear Enhancement of SiN Fil ms
Song Jiangting1 , Guo Hengqun1 ,3 , Wang Jiaxian1 , Wu Zhij un1 , Wang Guoli1 ,
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Shen Haibo , Xu Jun , Chen Kunj i , Wang Qiming
( 1. College of Inf ormation Science and Engineering , Huaqiao University , Quanzhou 362021, China ;
2. Dep artment of Physics , N anj ing University , N anj ing 210093 , China ; 3. State Key L aboratory on
Integrated Optoelectronics , Semiconductor Institute , Chinese Academy of Sciences , B eij ing 100083 , China)
Abstract : The silicon nitride (ncSiSiN x ) composite fil
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