碲镉汞单晶样品的变温霍尔效应.pptVIP

碲镉汞单晶样品的变温霍尔效应　　实验学生：魏现奎　　　　指导教师：张志杰　　　　　　　　　杜晓波 近代物理实验论文 实验装置图 ２.对于（－Ｂ －Ｉ）曲线，由于?（－Ｂ －Ｉ）前段　是在有温度设定的前提下测得的，故以前段实验数据为准，将X（－Ｂ －Ｉ）后段　做相应的修正，然后与前一段连接起来，得到修正后的曲线?（－Ｂ －Ｉ）修；将其与曲线　（－Ｂ＋Ｉ）（另一位同学测得的过零点为－９０?C左右的曲线），□（－Ｂ＋Ｉ）以及－（＋Ｂ＋Ｉ）共同绘制在一张Ｖｈ―ｔcurve　３图中，如下： 由上面的曲线可以看出：实验中有一条曲线实与前几组同学的实验曲线类似 ３. 对于修正后的（－Ｂ －Ｉ）曲线，其在中间部位还是有波动。由于第一次的实验结果中也有类似的波动，将两者及－（－Ｂ －Ｉ）曲线绘制在同一张图中，如下： 对于有波动的这两条曲线□（－Ｂ＋Ｉ）和?（－Ｂ －Ｉ）修的波动原因分析如下： 　　首先来具体分析一下副效应对霍尔电压的测量有什么样的影响： 　以ｐ型半导体为例，Ｂ ， Ｉ的方向如下所示；则Ｖｅ，Ｖｒｌ，，Ｖｒ方向均可以确定，与 Ｖｈ同向，由于不知道电极与样品两端的接触电阻，可以假设Ｖｎ的方向如图中所示；则： ＋Ｂ ＋ Ｉ：V1=Ｖｈ＋Ｖб＋ＶＥ＋ＶＮ＋ＶＡＬ　 ＋Ｂ － Ｉ：V2=－Ｖｈ－Ｖб－ＶＥ＋ＶＮ＋ＶＡＬ －Ｂ － Ｉ：V3 =Ｖｈ－Ｖб＋ＶＥ－ＶＮ－ＶＡＬ　 －Ｂ ＋ Ｉ：V4 =－Ｖｈ＋Ｖб－ＶＥ－ＶＮ－ＶＡＬ 由此可得：Ｖｈ＋ＶＥ＝１/４（ V1 － V2 ＋ V3 － V4 ） 由于Ｖｈ中的ＶＥ无法消除，故实验中所得的霍尔电压为此两者之和 对于ｎ型半导体，同样可以由此来得到消除所能消除掉的误差后的结果。 对于两曲线都有向上波动的部分来说，推究出现此种情况的原因可能有如下几点： ａ.样品的质量分布不均匀导致的。质量分布的不均匀，就会造成在导电的过程中，载流子浓度的不同，从而影响测得的霍尔电压。 ｂ. 电极与样品两端的接触电阻差别很大，在温度上升的过程中，负加电压Ｖｎ不等完全抵消导致。 ｃ.Ｖｅ在电流和磁场换向后，其带来的影响很大造成的。 在曲线－（－Ｂ －Ｉ）中之所以没有表现出这一特点，是由于在取点时，控温器的最大输出用的是１００％，在取点的过程中，恒温器对液氮加热过快，样品与液氮根本就没来得及达平衡，所以，实验所得的数值，只能粗略反映Ｖｈ与ｔ的变化关系。 因此可以说：样品的质量分布不均匀可能是造成这种结果的主要原因。 ４. 由公式推导我们得到霍尔电压与霍尔效应系数成正比，Ｖｈ?　Ｒｈ－１/Ｔ（Ｋ）曲线可知，在磁场和电流处于不同方向时， 各曲线所反映的半导体类型如下： 　判断样品导电类型的理论曲线如右：Ｂ为ｐ型导电；Ａ为ｎ型导电 （－）｜＊（＋）Ｂ＋Ｉ｜曲线 的Ｖｈ?Ｒｈ－１/Ｔ（Ｋ）图： 　　 　　由上图可明显看出：霍尔电压在自始至终都为负值的情况下，半导体的导电类型自始至终都为ｐ型。 （二）?（－Ｂ －Ｉ），◇（－Ｂ＋Ｉ），□（－Ｂ＋Ｉ），－（－Ｂ －Ｉ）的曲线的Ｖｈ?Ｒｈ－１/Ｔ（Ｋ）图： 将这些曲线与理论曲线相对照便可以得到样品在其相应方向的磁场和电流中的导电类型，由图知在温度由低温升至室温的过程中，此时样品的导电类型均为由ｎ型转化为ｐ型。 　　但由?（－Ｂ －Ｉ）图明显可见：碲镉汞单晶样品的导电类型处于ｐ型导电的情况，明显多于处于ｎ型导电的情况。由此种情况的出现，我们可以鲜明的看到：霍尔效应的附加效应，对于霍尔电压的测量，带来了多么强列的影响。而中间两者的ｐ，ｎ型导电情况，则相对于前者要均匀的多。 　　对最后一种情况｜－（－Ｂ －Ｉ）｜，虽然曲线的ｐ型导电的成分也多于ｎ型导电，但在此它所反映的情况却与第一次实验所得的　｜＊（＋）Ｂ＋Ｉ｜曲线所反映的情况截然不同：因为同样是霍尔电压为负值的情况，｜－（－Ｂ －Ｉ）｜曲线所反映的情况为ｎ－ｐ型导电，而｜＊（＋）Ｂ＋Ｉ｜曲线所反映的情况却只是ｐ型导电 　 从另一个角度讲：虽然｜－（－Ｂ －Ｉ）｜曲线是在最大输出为１００％的情况下测得的曲线，在一定程度上不能反映霍尔电压的真实所侧值，但对于导电类型，此曲线所能反映的情形还是相对真实的，而对于在没有设定温度的前提下测得的｜＊（＋）Ｂ＋Ｉ｜曲线来说，在导电类型上，它所反映的结果又有一定的不真实性。 　　结合前面的结论，因此可以说：在所测霍尔电压为负值的情况下，其导电类型应改是：由ｎ型转为ｐ型（而此时其导电类型究竟为ｐ型还是由ｎ型转化为ｐ型，这需要实验的验证）。 　　从现有的结论可以看出：碲镉汞单晶样品在一般意义上来说，在低温下，是典型的ｎ型半导体，而在室温下，又是典型的ｐ型半导体（与讲义上所说的正好相反）；但还存在需要实