非致冷Ino．53Ga0-47As／InP红外探测器研究.pdfVIP

维普资讯 第34卷 第6期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．34 No．6 2005年 12月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS December．2005 非致冷 Ino．53Ga0-47As／InP红外探测器研究 缪国庆，殷景志，金亿鑫，蒋 红，张铁民，宋 航 (中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，激发态物理重点实验室，长春 130033) 摘要：采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料 ，其晶格失配为2．19×l0一。利用锌扩散制备 探测器单元器件，光谱响应范围为0．90—1．70m，在 1．95V偏压下 ，暗电流为5．75×10～A，在反向偏压为 一5V 时，电容为6．96×10 F。探测器波段探测率为2．08×10“cmHz W～。 关键词：金属有机化学气相沉积；铟镓砷；探测器 中图分类号：TN304 文献标识码 ：A 文章编号：1000-985X(2005)06-1056-03 StudyonUncooled In0 Ga0 As／InP InfraredDetectors ． 53 ． 47 MIAOGun-qing，YINJing-zhi，JIN Yi-xin，JIANGHong，ZHANGTie-min，SONGHang (KeyLaboratoryofExcitedStateProcesses，ChangchunInstituteofOptics，FineMechanicsandPhysics， ChineseAcademyofSciences，Chnagchun130033，China) (Received14J 2005) Abstract：The Ino Ga047As／InP used forinfrared detectorwasgrown by low pressuremetal-organic ． 53 chemicalvapordeposition．Thelatticemismatch is2．19 ×10-4 ． The detectorwasfabricatedbyZn diffusion．Therangeofspectralresponseis0．90—1．701xm．Atabiasof1．95V thedarkcurrentis5．75 ×10一A，thecapacitanceat一5V isabout6．96 ×10一 F．Thedetectivityis2．08×10¨cmHz W 一。 。 Keywords：MOCVD ；InGaAs；detector 1 前 言 近几年来，红外探测器得到迅速发展。但是大多数红外探测器需要在低温工作才能获得较高性能，这是 目前制约红外探测器获得更广泛应用的主要原因。由于需要致冷使得红外系统体积大、笨重、价格昂贵和不 便于使用。而民用市场的发展必然会提出既要功耗低、体积小、重量轻，又要有高性价比，而且使用方便的要 求。因此非致冷红外探测器获得了巨大发展的空间…。In ，Gao钾As是直接带隙材料，具有高电子迁移率、 低背