沉积温度对电子束蒸发HfO2薄膜残余应力的影响.pdfVIP

第 33 卷 　第 6 期 中　 国 　激 　光 Vol . 33 , No . 6 　 2006 年 6 月 C H IN ESE J OU RN AL O F L A SER S J une , 2006 　 　　文章编号 :(2006) 沉积温度对电子束蒸发 Hf O2 薄膜 残余应力的影响 1 ,2 1 1 1 申雁鸣 , 贺洪波 , 邵淑英 , 范正修 ( 1 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海 20 1800 ;2 中国科学院研究生院 , 北京 100039) 摘要 　采用电子束蒸发沉积方法在 B K7 玻璃基底和熔融石英基底上沉积了 HfO2 薄膜 ,研究了不同沉积温度下的 应力变化规律 。利用 ZYGO 干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化 ,计算了薄膜应力 。结果发现在所考察的 实验条件下 HfO2 薄膜的残余应力均为张应力 ,应力值随沉积温度的升高先增大后减小 。两种基底上薄膜的残余 应力的主要产生机制不同。对于 B K7 玻璃基底 HfO2 薄膜的残余应力起决定作用的是内应力 ,熔融石英基底上 HfO2 薄膜的残余应力在较低沉积温度下制备的薄膜起决定作用的是热应力 ,在沉积温度进一步升高后内应力开 ( ) 始起决定作用 。通过对样品的 X 射线衍射 XRD 测试 ,发现在所考察的温度范围内, HfO2 薄膜的结构发生了晶态 转换 ,这一结构转变与薄膜残余应力的变化相对应 。两种基底上薄膜微结构的演变及基底性能差异是两种基底上 薄膜应力不同的主要原因。 关键词 　薄膜 ; HfO2 薄膜 ;残余应力 ;沉积温度 ;基底 ; 电子束蒸发 中图分类号 　O 484 . 1 　　　文献标识码 　A Infl uences of Deposition Temperature on Residual Stress of Hf O2 Fil ms Prepared by Electron Beam Evaporation SH EN Yanming1 ,2 , H E Hongbo 1 , SHA O Shuying1 , FAN Zhengxiu 1 1 S hang hai I ns ti t ute of Op tics an d F i ne M echanics , The Chi nese A ca demy of S ciences , S hang hai 20 1800 , Chi na 2 Gra d uate S chool of t he Chi nese A ca demy of S ciences , B eij i ng 100039 , Chi na Abstract 　HfO2 films were p rep ared by elect ron beam evaporation on B K7 glass and fu sed silica sub st rat es. The