室温制备低电阻率高透过率H,W共掺杂ZnO薄膜.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 1 (2013) 017803 室温制备低电阻率高透过率H, W 共掺杂ZnO 薄膜* † 王延峰 张晓丹 黄茜 刘阳 魏长春 赵颖 ( 天津市南开区南开大学光电子薄膜器件与技术研究所, 天津 300071 ) ( 2012 年7 月12 日收到; 2012 年8 月8 日收到修改稿) 采用脉冲直流磁控溅射法, 以WO3 :ZnO 陶瓷靶为溅射靶材, 通过在溅射气氛中引入H2 的方式, 在室温条件下 制备了低电阻率、高可见和近红外光区透过率的H, W 共掺杂ZnO (HWZO) 薄膜. 系统地研究了H2 流量对所制备 的HWZO 薄膜的结构、组分、元素价态、光电特性的影响. 结果表明: 掺入的H 可促进Zn 的氧化, 改善薄膜的结 晶质量, 提高薄膜透过率. H 引入之后薄膜的载流子浓度增加, 电阻率降低. 在H2 流量为6 mL/min 时制备的HWZO 薄膜性能最优, 电阻率为771 × 10−4 Ω·m, 光学带隙为3.58 eV, 400—1100 nm 的平均透过率为82.4%. 关键词: HWZO 薄膜, 磁控溅射, 太阳电池 PACS: 78.55.Et, 81.15.Cd, 88.40.H− DOI: 10.7498/aps.62.017803 9 明了实验的可行性 . 然而, 由于现在制备的TCO 1 引言 薄膜普遍都需要较高的沉积温度, 不仅增加了制备 成本, 还限制了其在柔性衬底上的应用1011 . 所以, 近年来随着多结叠层薄膜太阳电池的出现, 电 低温甚至室温的条件下制备适合叠层太阳电池应 12 池的转换效率显著改善 . 其工作原理为: 利用 用的TCO 薄膜具有很重要的研究意义. 吸收层带隙的不同实现对入射的不同波段太阳光 近年来, 已有研究者采用磁控溅射技术进行了 进行吸收, 以便达到对入射的太阳光充分利用的目 12 34 室温制备AZO 薄膜的研究. 例如: Oh 等 采用射 的 . 因此, 作为太阳电池窗口层的透明导电薄膜 频磁控溅射技术, 以Al 和ZnO 共溅射的方法制备 (TCO) 需对太阳电池可利用的光具有高的透过率. 了电阻率6 × 10−3 Ω·m, 可见光区透过率约90% 的 传统使用的Al 掺杂ZnO (AZO) 薄膜虽然在可见光 13 区有较高的透过率, 但由于高载流子浓度导致的自 AZO 薄膜; Lee 等 采用射频磁控溅射技术, 使用 2 wt.% AZO 陶瓷靶制备了电阻率97 × 10−4 Ω·m, 由载流子吸收, 使其在近红外光区的透过率显著降