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用霍耳效应测量磁场 1879 年霍耳在研究生期间，研究载流子导体在磁场中受力作用时发现了霍耳效应。霍 耳效应制成的霍耳元件是一种磁电转换元件(又称霍耳传感器)，它具有频率响应宽(从直流 到微波)、小型、无接触测量等优点，使它在测试、自动化、计算机和信息处理技术等方面， 得到了极为广泛的应用。近年来霍耳效应又得到了重要的发展，冯·克利青在极强磁场和极 低温度下发现了量子霍耳效应，它的应用大大提高了有关基本常数的准确性。 【实验目的】 1、了解霍耳效应的机理，掌握其测量磁场的原理。 2、学会用霍耳效应测长直螺线管磁场的方法。 【实验仪器】 螺线管磁场测试仪、长直螺线管磁场装置、双刀换向开关。 【实验原理】 Z 1.霍耳效应及其测磁场的原理 B 1 Y 3 v I 4 mv 2 X 图1 如图 1 所示，设霍耳元件是由均匀的 n 型(即参加导电的载流子是电子)半导体材料制成 的矩形薄片，其长为 L，宽为 b，厚为 d。如果在沿X 轴方向的 1、2 两端按图所示加一稳 定电压，则有恒定电流I H 沿 X 轴方向通过霍耳元件。1、2 间的等位面平行于YZ 平面。设 3、4 是一个等位面，故沿Y 轴方向的电流为 0。假定电流是由沿X 轴负方向、速度为υ的 电子运动所形成，电子的电荷为e ，而自由电子的浓度(单位体积内的电子数)为 n，则电流 I H (称为霍耳片的工作电流)可表示为: dQ I nevbd (1) H dt 若在垂直于薄片的Z 轴方向上加一恒定磁场B ，沿负X 轴运动的电子就受到洛伦兹力f B 的作用: f B −evB (2) f B 的方向指向负Y 轴。在此力作用下，电子将向左方平面偏移，右方平面剩余正电荷，结 果形成一个右正左负的电场E 。但是，左右两平面的电荷不会进一步的增加，当左右两个 平面聚集的电荷所产生的电场对电子的静电作用力 f E (指向Y轴正方向)与洛伦兹力f B (指 向Y 轴负方向)相等时，左右两个平面建立起一稳定的电势差，即霍耳电压 V ，电子就能 H -13 -11 无偏移地从 2 向1 通过半导体(上述过程在短暂的 10 ～10 s内就能完成)。 此时有如下关系: V f E f B 即 eE e H e