g-LiAlO2衬底上生长GaN的研究进展.pdfVIP

综合 评述 Vol.43, No.12 Review 光学材料 Dec. 2006 g- LiAlO2 衬底上生长GaN 的研究进展 Developments of GaN Grown on g - LiAlO2 Substrate 1,2 1,2 1,2 1 1 1 黄涛华 邹军 周健华 王军 张连翰 周圣明 1 中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800 蔀 2 中国科学院研究生院，北京 100039 HUANG Taohua1,2 ZOU Jun1,2 ZHOU Jianhua1,2 WANG Jun1 ZHANG Lianhan1 ZHOU Shengmin1 1 Shanghai Institute of Op tics and Fine M echanics, The Chinese A cademy of Sciences, Shanghai 20 1800 蔀 2 Graduate School of Chinese A cademy of Sciences, Beij ing 100039 摘 要 g-LiAlO2 与GaN 的晶格失配很小，易于分离，在其(100)面上能生长出无极性的 GaN ，是一种很有希望 的GaN 衬底材料。结合g-LiAlO2 的基本性质，详细介绍了g- LiAlO2 衬底上用各种方法生长GaN 的研 究进展。 关 键 词 GaN 薄膜；g- LiAlO2 ；非极性发光二极管 Abstract g-LiAlO , as a very promising substrate, shows small lattice mismatch with GaN and can separate 2 from GaN easily. Most importantly , nonpolar M-plane GaN can be grown on g-LiA lO2 (100) plane. Combined with basic properties of g-LiA lO , the research developments of GaN grown on g- 2 LiA lO2 substrate by different methods are reviewed in detail. ；g ； Key words GaN film - LiA lO2 nonpolar LED 中图分类号 O484.1 1 引言 发和产业化发展，将在照明领域 导致了GaN 薄膜中有很高的位 以 为代表的 族氮化 引发一场革命。由于GaN 体单晶 错密度及残余应力，严重影响了 GaN III 物半导体材料，包括本征层GaN 、 生长困难，外延生长GaN 薄膜是 器件的光学和电学性能。从 1995 掺杂 或 的 型和 型 实现其工业应用的主要途径。但 年开始g-LiAlO2 晶体被用作GaN Si