6 主存储器.pptVIP

Lecture 4 主 存 储 器 主 存 分 类 、 主 要 技 术 指 标 和 基 本 操 作 原 理 S R A M 与 D R A M 原 理 存 储 容 量 扩 展 计 算 机 科 学 与 工 程 学 院一. 主存储器处于全机中心地位当 前 计 算 机 正 在 执 行 的 程 序 和 数 据 均 存 放 在 存 储 器 中 DMA 技 术 和 输 入/ 输 出 技 术, 在 存 储 器 与 输 入/ 输 出 系 统 之 间 直 接 传 送 数 据共 享 存 储 器 的 多 处 理 机, 利 用 存 储 器 存 放 共 享 数 据, 并 实 现 处 理 机 之 间 的 通 信 2二. 半导体存储器的分类读/ 写 存 储 器RAM静态动态只 读 存 储 器ROM 掩膜式ROM ,由芯片制造商在制造时写入内容可 编 程 序 的 只 读 存 储 器PROM有熔丝式PROM ,刚出厂的产品熔丝是全部接 通的,使用前,用户根据需要断开某些单元的 熔丝 写入 3二. 半导体存储器的分类可擦除可编程序的只读存储器EPROM产 品 出 厂 时, 所 有 存 储 单 元 都 不 导 通, 当 浮 置 栅 注 入 电 子 后, 存 储 单 元 将 通 导; 当 芯 片 用 紫 外 线 照 射 后, 浮 置 栅 上 的 电 子 将 逸 散, 即 整 体 擦 除 2可用电擦除的可编程序的只读存储器E PROM编 程 原 理 和EPROM 同, 但 读 写 操 作 可 按 每 个 位 或 每 字 节 进 行 类 似 于SRAM, 但 每 字 节 的 写 入 周 期 要 几 毫 秒, 寿 命 为10 万 次 快闪存储器Flash Memory用 电 擦 除, 但 只 能 整 体 擦 除 或 分 区 擦 除 4二. 半导体存储器的分类 存储器类型 种类 可擦除性 写 机制 易散失性 读- 写存储器 电,字节级 电信号 易散失 RAM 只读存储器 不能 掩膜位写 非散失 ROM 只读存储器 不能 电信号 非散失 PROM 写 一次读多次 紫外线芯片级 电信号 非散失 EPROM 写 多次读多次 电,字节级 电信号 非散失 EEPROM 写 多次读多次 电,块级 电信号 非散失 Flash 5二. 半导体存储器的分类 存 储 器 应 用 SRAM Cache 高速缓冲存储器 DRAM 计算机主存储器 ROM固定程序, 微程序控制存储器 PROM 用户自编程序, 用于工业控制机或电器中 EPROM 用户编写并可修改程序 或产品试制阶段试编程序 EEPROM IC 卡上存储信息 Flash 固态盘,IC 卡 6三. 主存储器的主要技术指标容 量计算机可寻址的最小单位是一个存储字一个存储字所包括的二进制位数称为字长一个字节为8 个二进制位一个字可以由若干字节组成有些计算机可以按“ 字节” 寻址, 这种机器称为 “ 字节可寻址” 计算机容量 主存储器存储单元总数× 存储字长 7三. 主存储器的主要技术指标存 储 器 存 取 时 间Memory Access Time启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时 间存 储 周 期Memory Cycle Time连续启动两次独立的存储器操作 例如连续两次 读操作 所需间隔的最小时间通 常 存 储 周 期 略 大 于 存 取 时 间具 有 合 适 价 格 的 主 存 储 器 能 提 供 信 息 的 速 度 总 跟 不 上CPU 的 处 理 速 度 8四. 主存储器的基本操作读 操作:存储器→CPUCPU 把信息字的地址送到AR, 经地址总线送往主存储器. CPUCPU 发读Read 命令. AR DRCPU 等待主存储器的Ready 回 k n 答信号,Ready 为 1, 表示信息 地 址 总 线 读/ 写 已读出经数据总线, 送入DR 数 据 总 线写操作:CPU →存储器CPU 把信息字的地址送到AR , 控 制 总 线 经地址总线送往主存储器, 并 将信息字送往DR. ReadyCPU 发写Write 命令 CPU 等待主存储器的Ready 回 主 存 储 器 答信号,Ready 为 1, 表示信息 已从DR 经数据总线写入主存储 器 9五. 读/ 写存储器 写单元逻辑: 读单元逻辑: 控 制 控 制 数 据 输 出 数 据 输 入 选 择 选 择 位元 位元半 导 体 存 储 器 的 基 本 单 元 (BIT )6 管MOS 静态存储单元静态存储器 ?SRAM单管MOS 动态存储单元动态存储器 ?DRAM 1 0五. 读/ 写存储器半导体RAM 记忆元件RAM 要 求 能 随 机 地 对 存 储 器 中 的 任 何 单 元 进 行 存 取 , 而 且 与 存 取 的 时 间 和 该 单 元 的 物 理 位