抛物量子点的光折射率.pdfVIP

广西 民族大学学报 (自然科学版 ) 第 18卷第 4期 J0URNAL OFGUANGXIUNIVERSITY FOR NATIoNALITIES VoI．18NO．4 2012年 12月 (NaturalScienceEdition) Dec．2O12 抛 物 量 子 点 的 光 折 射 率 黄锦胜，林少光，林凯燕，陈国贵 (揭 阳职业技术学院 师范教育系，广东 揭 阳 522051) 摘 要 ：利用精确对角化方法计算了带有类氢施主杂质的量子点的能量和波函数，通过密度矩阵方法得 到光折射率改变量的表达式，在这基础上计算 了抛物量子点由基态(L一0态)跃迁到第一激发 态 (L一1态)的光折射率改变量 ，并与无杂质量子点的结果作对 比． 关键词 ：类氢杂质；抛物量子点；密度矩阵方法；光折射率改变量 中图分类号 ：0431 文献标识码 ：A 文章编号：1673—8462(2012)04—0071—04 0 引 言 小组在实验 中观察到 由磁场诱发的半导体量子阱杂 由于晶体生长技术的 日益完善 ，人们可以根据需 质的光吸收 ．而 E ·M ·Kazaryan和他的伙伴们完 要制造出不同尺度的低维量子束缚体系，以满足实验 成了量子阱(quantum wel1)杂质的光吸收 的理论研 或应用设备研制上 的需要．低维量子束缚体系 ，如量 究 ． 子阱、量子线、量子点 的理论与实验研究正 日益受到 量子受限体系具有很强 的光学效应 ，其光学吸收 重视 ，这是 由于这些量子受限体系在光学、输运等方 系数和折射率的变化就能体现 ，大量研究者被吸引到 面具有与体材料极为不相同的性质．置于量子受限体 量子阱、量子点等的光学性质 的研究．刘翠红教授等 系内的电子或空穴之类的载流子会受到多个 空间维 对柱形量子点的光吸收和光折射率 的改变做 了深入 度方向上的限制 ，其性质不 同于一般 的体材料或三 研究 ，其研究结果表明总的光吸收系数随着量子点 维材料 ，因而被称为是低维半导体材料．在量子点中， 半径 的减小而增大 ，光折射率的变化取决于量子点材 电子或空穴之类的载流子受到空间三个维度方 向上 料 Gn s的 因子．半抛物量子阱在外加 电场条 的限制，状态密度为函数，其性质不同于一般 的体材 件下的线性和非线性光折射率变化的相关研究工作 料或三 维材料 ，因而被称 为是 准零维半 导体材 由张立教授完成 ．同时，含有类氢杂质 的量子点系 料 一 ． 统的各种性质受到众多研究者的关注．最近，M ·Sa— 由于材料制备过程 中的人为掺杂或者 由于不可 hin研究 了内含有一个 电子和两个 电子 带有类氢杂 避免的因素而产生 的缺陷使得低维半导体纳米材料 质的球形量子点(sphericalquantum dot)系统 的光学 中产生杂质．这些杂质可以改进材料 的性能 ，因此 ，研 性质 ，发现小半径的量子点系统的吸收光谱强于大半 究低维半导体材料的杂质对其能级结构 、发光性能和 径系统的吸收光谱 J．解文方教授研究了含单 电子带 粒子输运的影响成为了一个重要 的课题．G ·Brozak 有类氢杂质的薄盘状量子点系统在没有磁场 和有 * 收稿 日期 ：2012—08—16． 基金项 目：揭 阳职业技术学 院重 点资助项 目(JYCKZ1102)． 作者简介：黄锦胜(1980一)，男，广东梅州人，硕士，揭阳职业技术学院师范教育系讲师，主要从事低维半导体材料的光学性 质的研究．Email：his86234