工作于亚阈区的纯MOS管基准电压源的研究设计.pdfVIP

第29卷第6期 贵州大学学报(自然科学版) V01．29No．6 of Dec．2012 JournalGuizhou 2012年12月 University(NaturalSciences) 文章编号1000—5269(2012)06—0072—04 工作于亚阈区的纯MOS管基准电压源的研究设计 魏 全‘，傅兴华，王元发 (贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室，贵州贵阳550025) 摘要：本文旨在设计一种无三极管无大电阻无运放的纯MOS电压基准源，采用的方法是利用 am 工作在亚阈值区的NMOS和自偏置的共源共栅NMOS组合。采用CSMC(华润上华)0．5 BiCMOS工艺，在MOS工艺角sf、27℃，得到输出基准电压为1．520V，电路功耗仅200nA，在温 度范围(一20℃～100℃)内的温度系数为31．33 ppm／oC． 关键词：纯MOS管；自偏置共源共栅；基准电压源；亚阈区；温度系数 中图分类号：TN433．0l文献标识码：A 随着集成电路工艺的发展和电源电压的降低， 基准电压源和电流源是模拟和混合信号集成电路 的基本单元模块，广泛应用在ADC(模数转换器)、 DAC(数模转换器)、LDO(低压差线性调节器)、 DC-DC(直流一直流转换器)、PLL(锁相环)等。低 电源电压低功耗小面积易集成成为基准源设计的 目标，文献[1，2]中传统的带隙基准源中晶体管工 作在饱和区并且离不开大面积的电阻和双极型晶 体管，难以获得低功耗小芯片面积的优点，传统基 准功耗都在十uA级别，故本文采用无运放无三极 圈1哭型带隙量堰彤瓦 管无大电阻的纯MOS电路，利用工作在亚阈值区 n(一般取2、4、8、24等)倍。高增益运算放大器迫 的MOS管设计的电压基准源，功耗在nA级，采用使X、Y两点电压相等，所以有‰。=‰+IR2，故 标准CMOS工艺，易于集成且芯片面积更小。本文 灵感来自于传统双极晶体管中得到零温度系数的 方法，将面积较大的三极管采用MOS管来设计，本 值可得到零温度系数的基准电压‘1，2|。 文设计的基准可用于低压低功耗电路且具有低压 2亚阈值区的原理 低功耗、小集成芯片面积、低温度系数特性，本文成 N沟道MOSFET的亚阈值电流可表示为h41 功实现一个无三极管无大电阻便可获得稳定性较 高的纯MOS管集成的电压基准。 1传统带隙基准源设计原理 传统典型的带隙基准电压源结构是由具有负 百qVos)]， (1) 温度系数的双极型晶体管％。和正温度系数的热 一 口 电压坼的线性组合来实现零温度系数。传统的典 L一 型的带隙基准电压源如图1所示。 热电势，‰阈值电压。当‰I3Vr时， 二极管连接的B．1r12的发射区面积是BJrI1的 ，D=孓唧[(≮≯)]． (2) 收稿日期：2012—10—30 基金项目：贵州大学研究生创新基金资助项目(理工2012018) 作者简介：魏全(1987一)，男，四川资中人，硕士研究生，研究方向：CMOS模拟集成电路计，Email：597464119@qq．corn． }通讯作者：魏全，Email：597464119@qq