硅量子点表面形状的研究.pdfVIP

第30卷第2期 贵州大学学报(自然科学版) V01．30No．2 Guizhou of Sciences) Apr．2013 2013年4月 Journal University(Natural 文章编号1000—5269(2013)02—0012—06 硅量子点表面形状的研究 陈汉琼，黄伟其4，苏 琴，黄忠梅，苗信建 (贵州光电子技术与应用重点实验室贵州大学，贵州贵阳550025) 摘要：计算结果显示在不同曲面上进行钝化的硅量子点的结合能与电子态密度分布是不同的。 例如在曲面上进行钝化的si—O—si桥键在带隙中产生局域态，并且曲面上进行钝化的结合能比在 平面上钝化的结合能要浅，这样的现象叫做曲面效应。曲面破坏对称性结构，从而在带隙中形成 局域态。表面曲率是由硅量子点的形状和硅纳米结构决定的。 关键词：硅量子点；表面形状；局域态；曲面效应 中图分类号：0431 文献标识码：A 自从1990年Canham发现硅在室温下可以发算，在模型库中导入硅原子晶体模型，进行／2X／2X 光以来，硅基材料引起了人们的广泛研究，但是由 n的超晶胞处理，这里我们采用的是3×3×3的超 0 于块硅间接带系的性质，发光效率很低。大量实验 晶胞结构。截取晶胞的(1 0)面作为表面，两个 证实硅量子点由于电子受限在展宽的带隙中形成 表面的曲率半径不同，一个曲率半径较小，另一个 准直接带隙，这推动了硅半导体材料在光电子器件 表面曲率半径较大，分别在两个表面上用同一个键 领域的广泛应用。实验与计算得到真空或纯氢气 条件下加工形成的硅量子点发出从紫外到红外的 他悬挂键用氢饱和，最后建立一个真空层。 弱荧光；在空气、氧气、氮气条件下加工形成的硅量 1．2计算方法 子点发出带宽比较窄的强光；经过适当的退火后再 氧气条件下形成的硅量子点在一定波长下发出很 基于总能量的平面波赝势理论，运用原子数目和种 强的光；这说明硅量子点的发光与表面钝化键类型 类来预测包括晶格参数、分子对称性、结构性质、能 有关，空气、氧气、氮气条件下加工形成的硅量子点 带结构、固态密度、电荷密度和波函数、光学性质。 在表面没有钝化好，从而引入缺陷。为了解释硅量 基于密度泛理论模拟量子点结构。采用局域密度 et 子发光，wolkina1．指出尺寸小于3HITI的硅量子 泛函理论、交换关联泛函计算量子点的能带结构， 点的发光是因为Si=0在带隙中引入局域态，但是以及态密度分布。 在光谱中并没有检测到Si=O，这就引起了争议；2计算结果与分析 et Hadjisavvasa1．提出小尺寸的量子点表面为球 我们将模型建成曲率不同的两个表面，在同一 面，大尺寸的量子点表面为平面。主要问题就集中 Si—O．SiSi 模型的两个不同表面用同一个键(Si．H 于为什么小尺寸的量子点在带隙中产生局域态以 =OSi-N Si-NO)进行钝化，研究硅量子点表面形 及局域态能级位置与量子点尺寸之间的关系。 状对其态密度以及结合能