2013届高考物理单元知识章节考点总复习25.pptVIP

* A．穿出位置一定在O′点下方 B．穿出位置一定在O′点上方 C．运动时，在电场中的电势能一定减小 D．在电场中运动时，动能一定减小 图8-4-4 * 解析：a粒子要在电场、磁场的复合场区内做直线运动，则该粒子一定做匀速直线运动，故对粒子a有：Bqv＝Eq，即只要满足E＝Bv无论粒子带正电还是负电，粒子都可以沿直线穿出复合场区，当撤去磁场只保留电场时，粒子b由于电性不确定，故无法判断从O′点的上方或下方穿出，故AB错误； 粒子b在穿过电场区的过程中必然受到电场力的作用而做类平抛的运动，电场力做正功，其电势能减小，动能增大，故C项正确D项错误． * 2．带电粒子在复合场中的匀速圆周运动 例2:(2010·安徽卷)如图8-4-5(1)所示，宽度为d的竖直狭长区域内(边界为L1、L2)，存在垂直纸面向里的匀强磁场和竖直方向上的周期性变化的电场[如图8-4-5(2)所示]，电场强度的大小为E0，E＞0表示电场方向竖直向上．t＝0时，一带正电、质量为m的微粒从左边界上的N1点以水平速度v射入该区域，沿直线运动到Q点后，做一次完整的圆周运动，再沿直线运动到右边界上的N2点．Q为线段N1N2的中点，重力加速度为g.上述d、E0、m、v、g为已知量． * (1)求微粒所带电荷量q和磁感应强度B的大小； (2)求电场变化的周期T； (3)改变宽度d，使微粒仍能按上述运动过程通过相应宽度的区域，求T的最小值． 图8-4-5 * * * * * 3．带电粒子在复合场中的一般曲线运动 　例3：如图8-4-7，与水平面成37°倾斜轨道AB，其延长线在C点与半圆轨道CD(轨道半径R＝1m)相切，全部轨道为绝缘材料制成且放在竖直面内．整个空间存在水平向左的匀强电场，MN的右侧存在垂直纸面向里的匀强磁场．一个质量为0.4kg的带电小球沿斜面下滑，至B点时速度为vB＝ m/s，接着沿直线BC(此处无轨道)匀速运动到达C处进入半圆轨道，进入时无动能损失，且刚好到达D点，从D点飞出时磁场消失，不计空气阻力，g＝10m/s2，cos37°＝0.8，求： * (1)小球带何种电荷． (2)小球离开D点后的运动轨迹与直线AC的交点距C点的距离． (3)小球在半圆轨道部分克服摩擦力所做的功． 图8-4-7 * * * * * 方法点拨：带电粒子在复合场中的一般曲线运动问题属于综合性很强的应用问题，解决这类问题的关键，一是要正确分析受力情况，特别要注意洛伦兹力的大小和方向会随速度的大小和方向的变化而变化；二是要正确分析运动情况，特别要注意洛伦兹力随速度变化后又要反过来引起运动状态的变化；三是要正确分析各个力的做功情况，特别要注意洛伦兹力在任何时候都不做功的特点． * * * 例4：(2010·北京卷)利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域．如图8-4-9(a)，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一现象称为霍尔效应． * 其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场EH，同时产生霍尔电势差UH.当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时，EH和UH达到稳定值，UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式UH＝ RH，其中比例系数RH称为霍尔系数，仅与材料性质有关． (1)设半导体薄片的宽度(c、f间距)为l，请写出UH和EH的关系式；若半导体材料是电子导电的，请判断图8-4-9(a)中c、f哪端的电势高． * (2)已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n，电子的电荷量为e，请导出霍尔系数RH的表达式．(通过横截面积S的电流I＝nevS，其中v是导电电子定向移动的平均速率)． * (3)图8-4-9(b)是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体，相邻永磁体的极性相反．霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近．当圆盘匀速转动时，霍尔元件输出的电压脉冲信号图象如图8-4-9(c)所示． * ①若在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，请导出圆盘转速N的表达式． ②利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程．除此之外，请你展开“智慧的翅膀”，提出另一个实例或设想． * * (3)①由于在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，则：P＝mNt 圆盘转速为N＝P/mt ②提出的实例或设想合理即可 * 方法点拨： 应用带电粒子在复合场中的运动的仪器这类问题，虽然物理情境各不相