新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高.pdfVIP

下载本文档

24
0
约3.31万字
约 6页
2017-09-14 发布于湖北
举报
版权申诉

新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第34卷第3期发光学报 V。1．34N。．3 2013年3月 CHINESE JOURNALOFLUMINESCENCEMar．．2013 Article ID：1000-7032(2013)03旬345-06 Performance ofBlueInGaN Improvement DiodewithASpecialDesigned Electron·blockingLayer DING Bin—bin，ZHAO Fang，SONGJing-jing，XIONG Jian—yong， ZHENG Shu—wen，YU Xiao—peng，XU De—tao， Yi—qin，ZHOU ZHANG Tao，FAN Guang—han+ Materialsand (1mtit以eofOpto—Electronic ChinaNormal 51063 Technology，South 1，China) University，Guangzhou }CorrespondingAuthor，E—mail：咖n@scnLt．edu．en kindsof Abstract：Three basedLEDwere numericallv．Thevare electron—blockinglayer(EBL)A1GaN compared eonventionalA1GaN Al EBL，AIGaN-GaN—A1GaN(AGA)andgradual A1GaN—GaN．AlGaN(GAGA) composition EBL．Their were involvedcarrierconcentrationin porfermanee theactive band analyzed region，energydiagram， electrostaticfieldandintemal resultsindicatethattheLEDwithanGAGAEBL quantum efficiency(IQE)．The exhibitsabetterhole more lowerelectron asmaller injectionefficiency，apeaceableefficiency