金锡共晶互连对HPLED光热性能的改善.pdfVIP

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2017-09-14 发布于湖北
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金锡共晶互连对HPLED光热性能的改善.pdf

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第34卷第3期发光学报 V01．34No．3 2013年3月 CHINESE LUMINESCENCEMar．，2013 JOURNALOF 14-05 文章编号：1000-7032(2013)03-03 金锡共晶互连对HP．LED光热性能的改善 8 殷录桥1，一，翁菲1，一，付美娟1，一，宋鹏1’2，张建华1’2 (1．上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室，上海200072； 2．上海大学机电工程与自动化学院．上海200072) 摘要：随着功率型LED(HP．LED)对散热的要求越来越高，传统导电银胶越来越难以满足LED的高散热要求。虽然共晶互连工艺是微电子领域中的一种有效的散热互连方法，但是由于LED的特殊性，该工艺在LED 互连封装中的性能改善研究还比较少。本文对金锡共晶互连、锡膏互连和银胶互连的3种LED器件分别进行了光学、热学以及剪切力等方面的测试分析研究，结果表明：底部与顶部同时加热的金锡共晶工艺互连的 000 LED器件可以有效地改善仅底部加热共晶互连层中的空洞缺陷，在1 mA电流条件下，相对于锡膏、银胶互连的LED器件具有较低的热阻、较稳定的峰值波长偏移、较强的互连层剪切力等性能。金锡共晶互连工艺是一种可以有效改善大功率LED散热及互连强度的方法。关键词：HP—LED；共晶互连；波长偏移；热阻中图分类号：TN364+．2文献标识码：A DOI：10．3788／fgx0314 The Performance of Optical-thermalImprovements HP-LEDInterconnectedAu80Sn20 by YIN Jian-hual，2+ Feil”，FUMei-juanl一，SONGPen91一，ZHANG Lu．qia01一，WENG and Education， (1．Key ofAdvancedDisplay ApplicationsofMinistryof Laboratory System 200072，China； ShanghaiUniversity，Shanghai 2．SchoolMechatronicsand 200072，China) of Automation，ShanghaiUniversity，Shanghai Author，E-mail： {Corresponding isthe ofI-IP—LED istheinterconnect Abstract：Thermal