碳硅共掺杂p型AlN的光电性能研究.pdfVIP

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2017-09-14 发布于湖北
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碳硅共掺杂p型AlN的光电性能研究.pdf

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第34卷第9期发光学报 V01．34No．9 2013年9月 CHINESE OF JOURNALLUMINESCENCESept．，2013 199-04 文章编号：1000-7032(2013)09．1 碳硅共掺杂P型AIN的光电性能研究武红磊，郑瑞生+，李萌萌，闰征，郑伟 (深圳大学光电工程学院光电子器件与系统(教育部／广东省)重点实验室，广东深圳518060) 摘要：在SiC衬底上生长了碳硅共掺杂P型A1N晶体，通过X射线衍射、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光 (PL)光谱、霍尔测试对碳硅共掺杂P型A1N晶体的结构、光学及电学性能进行了综合研究。通过XPS测试分析(尤其是对样品中si2p和Cls的XPS谱分析)发现，样品中c替代N成为受主，而Si替代A1成为施主。样品的PL谱主要包括两个特征发射峰，分别来自于C、Si在A1N中形成的复合物V。-C。和CN-Si舭关键词：光致发光；掺杂；P型导电；半导体材料；A1N 中图分类号：0474：0433文献标识码：A 199 DOI：10．3788／fgx1 and PhotoelectricalPerformanceof AIN Si C by P-typeCrystalCodoped WU Wei Hong—lei，ZHENGRui—sheng+，LIMeng—meng，YANZheng，ZHENG Devicesand of Province， (KeyLaboratory矿OptoelectronicSystemsMinistry旷Education／Guangdong Shenzhen 51 University，Shenzhen8060，China) }CorrespondingAuthor．E—mail：rszheng@S2lLe．du．cn andSi were on substratesthesublimation A1N C SiC by Abstract：p-typecrystalsby codopinggrown method．The andelectronic ofthe were byXRD， structural，opticalpropertiessamplesinvestigated andHall．effectmeasurement．TheXPS about ofSi XPS，PL analysis，especiallybindingenergies2p andC1S thatinA1N Nasan andSi A1asa peaks，reveals crystal