铕掺杂氧化锌纳米棒阵列材料的制备及光学性能研究.pdfVIP

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2017-09-14 发布于湖北
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铕掺杂氧化锌纳米棒阵列材料的制备及光学性能研究.pdf

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第34卷第5期发光学报 V01．34No．5 2013年5月 CHINESE OFLUMINESCENCE JOURNAL May．2013 文章编号：1000-7032(2013)05-0573-06 铕掺杂氧化锌纳米棒阵列材料的制备及光学性能研究孙晓绮1，孟庆华2’ 孟庆云1 (1．北京化工大学理学院．北京100029： 2．中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林长春130033) 摘要：通过低温化学方法在多孔硅柱状阵歹构。实验方法简单、条件温和，有效地实现了 ZnO纳米棒和铕离子之间的能量转移，丰富了ZnO纳米半导体材料体系的发光。x射线衍射以及x射线光电子能谱证实铕离子成功掺杂进了ZnO晶体中。室温荧光光谱测试结果表明：ZnO：Eu纳米棒阵列可实现从紫外光到蓝一绿光的宽谱带发射，其中发光中心位于～380nm的紫外光源于ZnO的带边发射．位于450～570rim的蓝一绿光源于ZnO的本征缺陷发光，而位于～615nm的红光发光则源于铕离子核外电子4f壳层结构。同时借助于能带示意图对光致发光机理进行了分析。关键词：铕离子；ZnO纳米棒阵列；低温化学法；光致发光中图分类号：0484．1 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx0573 Fabricationand of ZnONanorod OpticalPropertiesEu·doped Arrays 1+ SUN 1，MENG Xiao．qi Qing—hua2，MENGQing．yun Chemical 100029，China； (1．SchoolofScience，BeltingUniversityof Technology，Beijing Institute Mechanicsand 1 Optics，Fine AcademyofSciences．Changchun30033，China) 2．Changchunof Physics，Chinese }CorrespondingAuthor，E—mail：rruDbuct@163．COlll havebeen on Abstract：TheZnO(ZnO：Eu)nanorod Eu—doped arrays successfullysynthesized silicon method．Theeffective nanoporouspillararray(NSPA)substratesbyhydrothermal energy ZnO：Eunanorodcoulden- transferfromZnOhosttothe ionshasbeenrevealed．The