半導體製造技術第1章半導體工業簡介.ppt

標線板 標線板和光罩之比較 標線板材質 標線板縮影及尺度 標線板製作 標線板損害之來源 標線板和光罩之比較 表 14.6 光學增強技術 相移光罩 (PSM) 光學近接修正 (OPC) 偏軸曝光 偏移 對準 基準線補償 重疊精確 對準標記 對準形式 環境條件 溫度 濕度 振動 大氣壓力 微粒污染 14-1.何謂曝光? Ans:使敏感的化學品或材料接受光或其他輻射能量 14-2.在微影中解析度的定義為何?影響因素有哪些? Ans:(1)晶圓上分辨鄰近尺度之能力 (2)波長 ; 數值孔隙 ; 製程因子 14-3.環境條件有哪些? Ans: 溫度 ;濕度 ; 振動 ; 大氣壓力 ; 微粒污染 習題 半導體製造技術第 15 章微影:光阻顯影與先進雕像 微影之8個步驟 表 15.1 曝光後烘烤 DUV之曝光後烘烤 (PEB) 溫度均一性 PEB延遲 傳統i-line光阻的曝光後烘烤 顯影 負光阻 正光阻 顯影方法 光阻顯影參數 顯影方法 連續噴灑顯影 混拌顯影 光阻顯影參數 顯影液溫度 顯影時間 顯影液體積 莫耳濃度 沖洗 排氣流量 晶圓吸盤 硬烤 硬烤的特性 顯影之後 蒸發顯影後任何殘留的溶劑 硬化光阻 改善光阻對晶圓