热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度3.pdfVIP

　第 25 卷第 11 期 半　导　体　学　报 . 25, . 11 V o l N o 　2004 年 11 月 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S N ov. , 2004 热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度 陈媛媛　夏金松　樊中朝　余金中 ( 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室, 北京　100083) 摘要: 提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量. 通过 Sup rem 二维工艺模拟程序对氧化过程的 物理模型进行了分析. 用实验证