多层膜CIA预制层后硒化法制备Cu（In1-xAlx）Se2薄膜的研究.pdfVIP

第46卷第 6期 真 空 VACUUM Vo1．46．No．6 2009年 11月 NOV．2009 多层膜 CIA预制层后硒化法制备 Cu(In。_xAl)Se2薄膜的研究 苏 梦 ，薛钰芝，周丽梅 ，武素梅 (大连交通大学 ，辽宁 大连 116028) 摘 要：本文用真空蒸发法在玻璃衬底上蒸镀 cu—In—Al多层膜 ，后采用真空硒化退火获得 Al含量不同 的Cu(In1~Alx)Se多晶薄膜 。通过SEM和XRD微观形貌结构分析发现 ，薄膜 中Al的含量对薄膜 的表面形 貌和结构有一定影响。A1／(In+A1)比例越大 ，越容易获得尺寸较小、分布 比较均匀 的晶粒 。同时Al含量对薄 膜的方阻有一定 的影 响，Al含量越高 ，方阻越大。而且 A1含量的多少可以调节薄膜的禁带宽度的大小。 关键词：Cu(Inl一~Alx)Se2薄膜