TiO2CuInS2复合纳米棒阵列的制备及其光电性能.pdfVIP

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第 27 卷 第 1 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 27 No. 1 2012 年 1 月 Journal of Inorganic Materials Jan., 2012 文章编号: 1000-324X(2011)01-0049-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2012.00049 TiO /CuInS 复合纳米棒阵列的制备及其光电性能 2 2 范俊奇, 周正基, 周文辉, 武四新 (河南大学 特种功能材料教育部重点实验室, 开封475004) 摘 要: 采用两步溶剂热法在氧化氟锡(FTO)导电玻璃基底上制备了 CuInS2 敏化 TiO2 纳米棒阵列复合薄膜光阳极. 利用 X 射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了复合阵列薄膜的晶体结构和表面形貌, 同时采用紫外−可 见吸收分光光度计(UV-Vis)及光电流−电压(I - V) 曲线研究了 CuInS2 敏化 TiO2 纳米阵列薄膜的光学及光电化学性质. 研究结果表明, TiO2 纳米棒阵列薄膜被 CuInS2 敏化后在可见光区的吸收有明显的增强. 在模拟太阳光照射下 (100 mW/cm2), 利用这种复合薄膜作为光阳极组装的量子点敏化太阳能电池的开路电压为 0.29 V, 短路电流密度 为 0.15 mA/cm2, 具有一定的光电转换能力. 关 键 词: TiO 纳米棒阵列; CuInS ; 溶剂热; 光电转换; 量子点 2 2 中图分类号: TB383 文献标识码: A Fabrication of CuInS Sensitized TiO Nanorod Arrays for Photovoltaic Devices 2 2 FAN Jun-Qi, ZHOU Zheng-Ji, ZHOU Wen-Hui, WU Si-Xin (Key Laboratory for Special Functional Materials of Ministry of Education, Henan University, Kaifeng 475004, China) Abstract: Vertically oriented single-crystalline TiO nanorod arrays sensitized with CuInS quantum dots (QDs) 2 2 were synthes

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