GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池技术研究进展.pdfVIP

《半导体光电92009年 1O月第 3O卷第 5期 周 勋 等 ： GaAs基Ⅲ一V族多结太 阳电池技术研 究进展 GaAs基Ⅲ一V族多结太阳电池技术研究进展 周 勋，罗木 昌，赵 红，周 勇，刘万清，邹泽亚 (重庆光 电技术研究所 。重庆 400060) 摘 要 ： GaAs太阳电池由于其性能优越 ，成为了光伏领域 的发展重点。简单介绍 了GaAs 基 Ⅲ一V族 多结太阳电池的应用和研究进展 ，并对其发展趋势进行 了展 望。 关键词 ： GaAs；Ⅲ一V族；多结太阳电池 ；光伏技术 中图分类号：TM914．4 文献标识码：A 文章编号： ProgressesonGaAs。_basedIn--V Multi-junctionSolarCells ZHOU Xun，LUO Mu—chang，ZHAO Hong，ZHOU Yong，LIU W an—qing，ZOU Ze—ya (ChongqingOptoelectronicsTechnologyResearch Institute，Chongqing400060，CHN) Abstract： GaAssolarcellshave becomea focusin thephotovoltaicfield becauseofthe uniqueadvantageswhicharesuperiortoothersolarcells．TheresearchprogressesonGaAsbased Ⅲ一V multi—junction solar cellsarebriefly illustrated．Besides，thefuturetrendsarealso presented． Keywords： GaAs；Ⅲ一V group；multi—junctionsolarcell；photovoltaictechnology 0 引言 基Ⅲ一V族太阳电池技术取得 了引入瞩 目的里程碑 式突破 。至今 ，GaAs基多结 级联太 阳电池 的最高 太阳电池主要可分为硅太阳电池和化合物半导 转换效率 (AM0)可达 32 [】]，而其高倍聚光系统的 体 (如 GaAs、CdTe、CuInSe等)太阳电池两类，而后 转换效率 (AM1．5，240suns)可达 40．7 _2]，其大规 者尤 以基于 GaAs的Ⅲ一V族化合物半导体太 阳电 模量产的平均效率 已远远 高于硅太 阳电池 ，在空间 池为典 型代表 。就 目前 的光伏技术而 言 ，硅和 电源领域中占据 的应用 比例超过 了 80 ，同时 ，性 GaAs基Ⅲ一V族太 阳电池是进行研究和实现产业化 价 比较高的高倍聚光 GaAs基多结太 阳电池阵列在 的两大重点。虽然无论从带隙类型或禁带宽度来衡 地面系统也逐渐得 以批量应用 。可以预见 ，作为光 量 ，硅材料都不是最适宜的太阳电池材料 ，但 由于硅 伏技术的新突破 ，GaAs基Ⅲ一V族 多结太 阳电池有 资源的丰富以及硅工艺 的成熟，低成本 的硅太阳电 着非常广阔的应用和发展前景。 池已被广泛应用于各个领域，成为 目前光伏产业的 主流。而 GaAs及其相关Ⅲ一V族化合物半导体材 1 多结太阳电池的结构演变 料因其具有直接带隙 以及优异 的光谱响应特性 ，可 GaAs太 阳电池 的研究始于 1956年。最早期 获得最为理想的光 电转换效率 ，且其温度特性 、抗辐 是利用 n型 GaAs体单晶，通过扩散方法在其表层 照性 能也远优 于硅。尽 管其成本相对 高 昂，但 形成 P型GaAs层