ZnO／P-Si异质结的光电特性研究.pdfVIP

第 29卷 第 11期 光 学 学 报 Vo1．29，No．11 2009年 l1月 ACTA 0PTICA SINICA November，2009 文章编号 ：0253—2239(2009)11-3232—04 ZnO／P·Si异质结的光电特性研究 齐红霞 陈传祥 (徐州师范大学物理与电子工程学院，江苏 徐州 221116； 济宁学院物理系 ，山东 曲阜 273155) 摘要 利用脉冲激光沉积方法在 P—Si(100)衬底上生长 ZnO薄膜 ，制备 ZnO／P—Si异质结 ，研究衬底温度对异质结 光 电特性的影响。结果表 明，在 400℃，500℃，550℃和 600℃下生长 ZnO制备的异质结都有一定的整流特性，反 向暗 电流随着衬底温度 的升高略有增加 ，在 550℃下制备的样 品具有最明显的光电效应 。ZnO／P—Si异质结对可见 光和紫外光呈现出不 同的响应性 。在可见光照射下 ，光 电流随反 向偏压急剧增大，偏压增大到某一值时，光 电流增 速变小，而在紫外光下，光 电流有逐渐增大的趋势。根据 ZnO的透射谱认为，可见光和紫外光是异质结不同的耗尽 区诱导电子一空穴对产生光 电流 的。 关键词 薄膜光学 ；光电效应 ；脉冲激光沉积；ZnO 中图分类号 TN364 文献标识码 A doi：10．3788／A0S200929l1．3232 PhotoelectricEffectsofZnO／P-SiHeterojunction QiHongxia ChenChuanxiang ，CollegeofPhysicsandElectronicEngineering，XuzhouNormalUniversity，Xuzhou，Jiangsu221116，China、 ＼ DepartmentofPhysics，JiningUniversity，Qufu，Shandong273155，China ／ Abstract ZnO／P—SiheterojunctionsarefabricatedbypulsedlaserdepositionofZnOfilmsonP—Sisubstrates．The substratetemperaturesof400 ℃ ，500 ℃ ，550 ℃ and600 ℃ are taken for theZnO film deposition．Allthe heter0junctionsshow typicalrectifying behaviors and the reverse dark currentincreaseswith the substrate temperature．The sample prepared at550 ℃ shows the bestphotoelectric effects． There are different ／-V characteristicsastheZnO／P-SiheterojunctioniSexposedtovisibleandultraviolet(UV)photons．Thephotocurrent increasesrapidly intheinitialseveralvoltages，butslowlybeyondacertainreversebiasvoltage．Whenthesampleis illuminatedbyUV photon，thephotocurrentsshow agradualincreasewiththebias．According tothetransmitatnce spectraoftheZnO films，itiSthoughtthatthe electron—holepairsare induced in thedifferentdepletionofthe heterojunctionf