ZnO一维纳米结构的形貌调控与亲疏水性研究.pdfVIP

第 58卷 第 11期 2009年 11月 物 理 学 报 Vo1．58，No．11，November，2009 1000—3290／2009／58(11)／8044—06 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2009Chin．Phys．Soc． ZnO一维纳米结构的形貌调控与亲疏水性研究* 武 祥’ 蔡 伟 曲凤玉 1)(哈尔滨师范大学化学化工学院 ，哈尔滨 150025) 2)(哈尔滨工业大学材料科学与工程学院，哈尔滨 150001) (2009年 2月20日收到 ；2009年 3月 19 日收到修改稿 ) 分别使用金属、半导体等类型的基片作沉积衬底 ，采用气相沉积的方法合成 了多种 ZnO一维纳米结构，如塔状 结构、锥状结构、蘑菇状结构、环状结构等等 ．用扫描 电镜 ，透射 电镜等对合成产物的形貌和结构进行 了研究，结果 发现沉积衬底对合成产物形貌和结构有着重要 的影响．同时对合成塔状纳米结构的生长机理做 了系统地分析 ，并 研究了其相应的亲疏水性能 ． 关键词 ：纳米结构 ，气相沉积，形貌调控 ，结构表征 PACC：8110B，6146，6870 1．引 言 2．实验部分 一 维纳米材料因其特有的物理和化学性能一直 所用的衬底如 Si片，zn片等首先在丙酮中超声 引起人们的广泛关注．纳米线可以用作制造压电纳 半小时，然后用去离子水冲洗晾干．将 ZnS(纯度 米发电机 。，激光器 和场发射器 等微纳器件 ； 99．99％AlfaAlser)和C粉均匀混合后放在氧化铝瓷 纳米管可作为构建模块制作微流腔 ．同时人们也 舟中，然后置于管式炉中部 ．将整个密闭系统抽真空 使用各种各样的制备方法合成 了超 晶格、异质结和 到 100Pa后 ，通入高纯氩气，保持 3h以后 ，管式炉 分级纳米结构 ，这大大拓宽 了一维纳米材料的 以18℃／min的速度加热到900℃，氩气流速恒定在 使用范围． 100cm3／min(SCCM)．接着炉子在 900℃保温 2h，反 ZnO作为一种重要的Ⅱ一Ⅵ族直接宽禁带半导体 应过程中炉 内压强保持在 0．05MPa．反应结束后， 化合物，其禁带宽度为 3．37ev，激子束缚能为 60 用X射线衍射仪 (RigakuDmax．rB，CuKaradiation， meV．具有优异的压 电性能和生物相容性 ．自从 2001 = 0．1542nm，40kV，100mA)、场发射扫描显微镜 年 Wang等发现纳米带结构以来 ¨，关于ZnO一维纳 (HitachiS-4800)、能 量 散 射 x 射 线 谱 (EDX， 米结构的研究一直方兴未艾．到 目前为止 ，人们已经 INCA300)、透射电子显微镜 (JEOL．2010F)对合成的 使用很多制备方法合成了形形色色的ZnO结构，如纳 产物形貌和结构进行了表征 ．用接触角仪 (oca2o) 米线 、纳米片n 、纳米棒n 、纳米环 、纳米钉 ]、 对合成产物的润湿性能进行了研究 ． 纳米弹簧 、纳米城堡 。等等 ．然而不同原理和制备 方法合成的结构各不相同，只有得到大量尺寸可控、 3．结果与分析 形貌均匀的一维纳米材料 ，才有可能对其各种性能进 行系统地研究，进而把其组装成器件 ．本文利用气相 大量实验表明：用钨片作衬底 ，合成的产物产量 沉积的方法合成了多种 ZnO纳米结构 ，分析了衬底对 大，覆盖整个衬底表面，产物形貌为蘑菇状 ．图 1(a) 合成产物形貌的影响，讨论了合成塔状纳米结构的生 是低倍扫描电镜照片，图 1(b)是图1(a)中相应位置 长机理，并研究了其相应地亲疏水性能．