Si（111）衬底上六方YMnO3薄膜的制备与铁电性质.pdfVIP

· 18 · 材料导报：研究篇 2010年8月(下)第24卷第8期 Si(Il1)衬底上六方 YMnO3薄膜的制备与铁 电性质 刘越峰 ，郑海务 ，马兴平 ，王 超 ，张华荣 ，顾玉宗 (1 河南大学物理系微系统物理研究所，开封 475004；2 河南大学基础实验教学中心，开封 475004) 摘要 采用化学溶液法在 Si(111)衬底上制备 了YMnOa薄膜。XRD结果表明，所制备的薄膜为六方纯相 YMn03，且具有部分择优取向生长。以Pt为顶电极，测试了YMnOa薄膜的电滞回线，结果表明，所制备的YMnO~ 薄膜具有 良好的铁电性质。 关键词 六方YMnO。薄膜 Si(111) 择优生长 电滞回线 中图分类号：O614．32+2 文献标识码：A FerroelectriePropertyandPreparationofHexagonalYM nO3ThinFilms GrownonSi(111)Substrate LIU Yuefeng ，ZHENG Haiwu ，MA Xingping ，WANG Chao ， ZHANG Huarong ，GU Yuzong (1 InstituteofMicrosystem forPhysics，DepartmentofPhysics，HenanUniversity，Kaifeng475004； 2 BasicExperimentTeachingCenter，HenanUniversity，Kaifeng475004) Abstract TheYMnOsthinfilm ispreparedonSi(111)substratebychemicalsolutiondeposition．Theresultof XRD displaysthatthesampleispurehexagonalphasewithpartlyc—axisorientation．D-Ehysteresisloopofmetal／fer- roelectric／metalcapacitorsusinghexagonalYMnOathinfilmsdepositedonSi(111)substrateismeasured．Theresults ofthemeasurementshow thatthethinfilmshavewellferroelectrieperformance． Keywords hexagonalYMnOa，thinfilm，Si(111)，oriented—growth，D-E hysteresisloop 0 引言 1 实验 铁电薄膜因具有独特的铁电性、压 电性、介电性、热释电 依次使用四氯化碳、甲苯、丙酮、乙醇、浓硫酸和氢氟酸 性以及非线性光学等性能，在现代微 电子、微机 电系统 (体积分数为 2％)对Si(111)衬底进行清洗，目的是去除衬 (MEMS)、信息存储等方面有着广阔的应用前景 ，已成为当 底表面的一些油污、金属离子及氧化物等，然后用去离子水 前新型’功能材料研究的热点之一_1]。多铁性材料不但具备 冲洗干净。 各种单一的铁性 (如铁 电性、铁磁性和铁弹性)，而且通过铁 配制 0．3mol／L的YMnO。前驱液，具体的制备方法见文 性的耦合协同作用产生了一些新的功能，大大拓宽了多铁性 献[73。在硅衬底上利用旋转涂膜法甩膜，转涂速率为 材料的应用范围，因而受到广泛关注[2]。 4000r／rain，保持时间为 30s。所得湿膜在快速热退火炉中于 六方结构的YMnO。是一种集铁电性与反铁磁性于一体 180。C烘