穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响.pdfVIP

第 58卷 第 11期 2009年 11月 物 理 学 报 V01．58，N0．11，November，2009 1000．3290／2oo9／58(11)／7952．06 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2009Chin．Phys．Soc． 穿透型V形坑对 GaN基 p．i．n结构紫外探测器 反 向漏 电的影响* 张 爽 赵德月0 刘宗顺 朱建军 张书明 王玉田 段俐宏 刘文宝 江德生 杨 辉 (中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室 ，北京 100083) (2008年7月7日收到；2009年2月 19日收到修改稿) 研究 了GaN基 p—i—n(p-A1GaN／i—GaN／n．GaN)结构紫外探测器 的漏 电机理 ．实验发现，在位错密度几乎相 同的情 况下，基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现 出较高的反向漏电．进一步的SEM测试发现，这种 v 形坑穿透到有源区 i-GaN、甚至 n．GaN层 ．在制备 p-A1GaN电极时 ，许多金属会落在 V