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应用笔记 氮化镓功率晶体管 氮化镓功率晶体管的基础 宜普电源转换公司Stephen L. Colino及Robert A. Beach 我们对功率半导体最基本的要求是其性能、可靠性、管控性及成 本效益。它的高频率性能，可切合稳压器系统于体积及瞬态响应 操作 方 面 的 需 要 而 具 更 高 价 值 ， 并 为 D 类 功 率 放 大 器 提 供 高 保 真 度 。 宜普氮化镓晶体管的表现跟硅功率 一个新器件结构如果不高效、不可靠的话，根本不可能商品化。 MOSFET非常相似。在栅极上，相对 市 场 上 有 很 多 新 结 构 及 原 料 可 供 选 择 ， 有 些 成 功 地 取 得 经 济 效 于源极，一个正偏压会产生吸引电 益；有些则是取得有限的接受度。不过，现在有氮化镓(Gallium 子的场效应，构成漏极与源极之间 的相向通道。由于电子被集中在一 Nitride/GaN)增强型功率管控组件问世，具有高导电性、极快开 起，不会凌散地困于某一格位置， 关、硅器件之成本结构及基本操作模式等优异性能，其代表就是 这个通道 的电阻因而很低。从栅极 宜普公司的突破性新产品。 移去偏压，下面的电子会分散至氮 化镓层，重新产生耗尽区域，从而 再次构成阻隔电压旳能力。 器件结构 镓和氮(AlGaN)组成的电子产生材料 一个器件的成本效益，从现有生产 叠加于GaN之上。这个层将在下方产 基础设施开始计算。宜普公司的工 生大量自由电子。再经进一步处理 艺技术，基于不昂贵的硅晶圆片。 即可在栅极下方形成一个耗尽区。 最後的結果是一個 利用现有硅工艺设备，在硅基板上 为了增强晶体管性能，将用与导通n 加上一薄层氮化铝(Aluminum Ni- 通道增强型功率MOSFET同样的方式 具簡單基礎、簡要 tride/AlN)，用于隔离器件结构和 在栅极上施加一个正电压。图1显示 基板。如果产品的额定电压为200V 了这个器件结构的剖面图。最后的 明確及成本效益的 及200V以下，基板和有源器件之间 结果是一个具简单基础、简要明确 電源開關解決方案 的隔离电压则超过300V。在这隔离 及成本效益的电源开关解决方案。 层上是一层厚的高阻性氮化镓，晶 该器件的表现跟硅功率MOSFET相 体管就建立于这个基础上，由铝、 似，当然也有不同之处，我们将再 作阐释。 Electron Generating Layer Dielectric Aluminum Nitride S G D