GaN共振隧穿二极管及THz振荡器仿真.docVIP

  GaN 共振隧穿二极管及 THz 振荡器仿真# 何寒冰，杨林安，郝跃，武小虎，梅楠** （西安电子科技大学微电子学院，西安 710071） 5 10 15 20 25 30 35 摘要：本文利用 Silvaco 软件对 GaN 共振隧穿二极管（GaN RTD）进行仿真，重点考虑了界 -2 -2 -2 着测量次数的增加而退化。同时结合 Hspice，对由 GaN RTD 构成的 THz 振荡器进行仿真， 首次得到了陷阱密度对振荡器输出功率和 RF 转化效率交流特性影响的定量结果。 关键词：GaN 共振隧穿二极管；AlGaN/GaN 异质结；界面陷阱 中图分类号：TN389 Simulation of GaN based Resonant tunneling diode (RTD) and Terahertz Oscillators HE Hanbing, YANG Lin’an, HAO Yue, WU Xiaohu, MEI Nan (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071) Abstract: In this paper, using the Silvaco simulator, GaN RTD is studied. Considering the influence