InGaN异质结太阳电池效率计算.docVIP

  InGaN 异质结太阳电池效率计算# 刘斌，王睿，胡海楠，张荣，谢自力，陈敦军，李烨操，文博，江若琏，韩平， 郑有炓* 5 10 15 20 25 30 35 40 （南京大学电子科学与工程学院，南京 210093） 摘要： 铟镓氮(InGaN)合金具有直接带隙和禁带宽度连续可调的特点，其能量范围从 3.4eV 到 0.7eV, 对应的吸收光谱的波长从紫外线部分一直延伸到近红外部分，几乎完整地覆盖了 整个太阳光谱，是制备太阳光伏电池的理想材料。该文根据 p-n 结型太阳电池满足的电流- 电压方程，研究计算了 InGaN 单结以及 InGaN 与其他半导体材料组成的异质双结太阳电池的 转换效率。研究发现，单结太阳电池的最大转换效率达到 31.9%，取得此转换效率的 InxGa1-xN 禁带宽度 Eg 为 1.33eV，对应的 In 组分 x 为 0.77。本文设计并计算了 InGaN/GaP、 InGaN/GaAs、InGaN/Si、InGaN/Ge 四种异质双结电池的转换效率，比较它们的结果发现， In0.73Ga0.27N/Ge 的禁带宽度最佳组合为 1.54eV /0.66eV，转换效率达到 46.7%，具有实 验可行的实际意义。 关键词：微电子与固体电子学；光电子材料；III 族氮化物半导体；太阳电池；转换效率计 算 中图分类号：TN36; O472 Calcu