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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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用于脉冲 强度测量的 , 探测器
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欧阳晓平 李真富 霍裕昆 宋献才
!)(清华大学工程物理系,北京 !%%%$ )
)(西北核技术研究所,西安 ’!%%$ )
# )(复旦大学现代物理研究所,上海 %%$## )
$ )(中国工程物理研究院电子学研究所,绵阳 (!)%% )
( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿)
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采用电阻率为 — · 的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为 ,耗尽层厚度
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的大面积厚 半导体探测器 设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、灵
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敏度、漏电流、 分辨等物理参数进行了测量和分析,结果表明,这类探测器可满足低强度裂变 混合场中脉冲
2 3 32
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强度测量的需要1
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关键词:大面积,电流型,半导体探测器
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— · 高阻单晶硅,在国内研制成功灵
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!4 引 言 敏区面积为 (% ,,,全耗尽层厚度达- !%%% , 的
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