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HIT电池缓冲层的关键技术发展概述 白晓宇u， 郭群超-， 李红波-o (1．上海太阳能工程技术研究中心，上海200241；2．上海空间电源研究所，上海200245) 征缓冲层的工艺。大量研究表明本征硅薄膜缓冲层在硅片上沉积时很容易发生外延生长。对于外延生长影响的认识存 在着很大争议，有学者认为其中含有大量缺陷态。会降低电池性能，并提出了完全阻止外延生长的新结构，但也有学者 认为恰恰是外延结构真正起到了钝化界面的作用。分析认为，不同甚至相互矛盾的实验结果可能与外延结构生长时缺 陷态密度的控制有关．外延结构不是影响电池性能的关键。外延结构中的缺陷态密度才是影响电池性能的重要因素。 关键词：HIT电池；缓冲层；外延；缺陷态密度 914．4 中图分类号：TM 文献标识码：A 文章编号：1002—087 X(2013)04—0690—03 Overviewof ofHITsolarcells’buf