电路老化中考虑路径相关性的关键门识别方法.pdfVIP

第18卷第2期 电路与系统学报 V01．18No．2 2013年4月 JOURNALOF AND CIRCUITSSYSTEMS April，2013 文章编号：1007．0249f2013)02．0123一06 电路老化中考虑路径相关性的关键门识别方法+ 李扬1，一， 梁华国2， 陶志勇，， 李鑫，， 易茂祥2， 徐辉1 (1．合肥工业大学计算机与信息学院，安徽合肥230009：2．合肥工业大学电子科学与应用物理学院，安徽合肥230009： 3．江苏省南通商贸高等职业学校，江苏南通230009) 摘要t 65nm及以下工艺，负偏置温度不稳定性(NBTI)是限制电路生命周期，导致电路老化甚至失效的最主要 因素。本文提出了基于NBTI的时序分析框架，在确定电路中老化敏感的潜在关键路径集合的基础上，通过考虑路径 相关性确定老化敏感的关键门。本方法简单易行，在65nm工艺下对ISCAS基准电路的实验结果表明：在保障电路经 lO