硅氧化工艺软X射线干涉光刻分束光栅优化设计.pdfVIP

第31 卷 第6 期 核 技 术 Vol. 31, No.6 2008 年6 月 NUCLEAR TECHNIQUES June 2008 基于高级硅刻蚀和硅氧化工艺的软X 射线 干涉光刻分束光栅的优化设计 1 1 2 1 1 1 朱伟忠 吴衍青 史沛熊 郭 智 邰仁忠 徐洪杰 1 （中国科学院上海应用物理研究所 上海 201800 ） 2 （丹麦科技大学 哥本哈根 2800 ） 摘要 基于严格的矢量耦合波方法，对13.4 nm (92.5 eV)软X 射线正入射于周期140 nm 的Si 光栅和SiO2 光 栅的一级衍射效率进行了模拟计算，结果表明SiO2 光栅的最大一级衍射效率远比Si 光栅高，同时也比目前用 于 13.4 nm 软X 射线干涉光刻的Cr/Si3N4 复合光栅高。本文提出用高级硅刻蚀工艺和硅氧化工艺制作深高宽 比纳米级SiO2 光栅的新方法，可以解决直接刻蚀制作此光栅难度大的问题，适用于制作上海光源(SSRF)软X 射线干涉光刻分束光栅。 关键词 软X 射线透射光栅，衍射效率，高级硅刻蚀，硅氧化工艺，严格耦合波方法，软X 射线干涉光刻 中图分类号 O436.1 软 X 射线干涉光刻(XIL)技术，由制作于同一 求，本文用严格矢量耦合波理论(Rigorous Coupled 基板上的分束光栅使入射软X 光发生衍射，而使正 Wave Analysis ，RCWA) ，在13.4 nm 波段处，对SiO2 一级和负一级衍射光干涉叠加( 图1)。它能制造大面 光栅的一级衍射效率进行了模拟计算，并与Si 光栅 积(~mm2)高密度周期性结构，尤其在 sub-50 nm 的 以及PSI 的LMN 制作的XIL 分束光栅进行比较， 周期性纳米结构的制作上有其独特的优势。与同样 显示出了SiO2 光栅一级衍射效率高的优势。本文提 具有纳米加工能力的电子束直写刻蚀和扫描电子显 出采用结合高级硅刻蚀[9,10] (Advanced silicon 微镜加图形发生器等其它刻蚀手段相比，它还具有 etching ，ASE) 技术和反应离子刻蚀(Reactive ion 可实用化的投片率。这样的周期性结构可用于磁点 etching, RIE)技术，并用氧化法制作深高宽比的纳米 [1] [2] 阵 、纳米光学器件 (如UV 波段起偏器、光子晶 级SiO2 光栅的新方法。 体等) 、自组织导向模板[3](如胶体、共聚物、量子点 阵的自组织生长) ，量子点阵、X 射线显微用波带 片[4] 、纳米嫁接等科学技术发展的前沿领域。目前 瑞士Paul Scherrer Institute (PSI) 的Laboratory for Micro and Nanotechnology(LMN)和美国威斯康辛大 学的纳米技术中心正在利用同步辐射装置从事XIL 相关技术的研究[5-8]，尤其是LMN 做出了许多开创 图1 四光栅干涉光刻示意图 性的工作。 Fig.1 Sketch map of four-wave interference lithography using four gratings XIL 技术产生的特征空间尺度最小可达十几纳 米，优化设计分束光栅，提高其一级衍射效率，