小尺寸应变杂蚤灶酝韵杂云耘栽物理模型研究鄢.pdfVIP

物理学报摇 粤糟贼葬孕澡赠泽援杂蚤灶援摇 灾燥造援远园袁晕燥援怨 渊圆园员员冤摇 园怨愿缘园员 小尺寸应变杂蚤灶酝韵杂云耘栽物理模型的研究鄢 屈江涛 摇 张鹤鸣摇 秦珊珊摇 徐小波摇 王晓艳摇 胡辉勇覮 渊西安电子科技大学微电子学院袁宽禁带半导体材料与器件重点实验室袁西安摇 苑员园园苑员冤 渊圆园员园年愿月圆猿 日收到曰圆园员园年员圆月员猿 日收到修改稿冤 摇 摇 本文运用高斯定律得出多晶杂蚤郧藻栅应变杂蚤灶酝韵杂云耘栽的准二维阈值电压模型袁并从电流密度方程出发建立了 小尺寸应变杂蚤灶酝韵杂器件的陨鄄灾特性模型援对所得模型进行计算分析袁得出沟道郧藻组分尧多晶杂蚤员原赠郧藻 栅郧藻组分尧赠 栅氧化层厚度尧应变杂蚤层厚度尧栅长以及掺杂浓度对阈值电压的影响援运用二维器件模拟器对器件表面势和陨鄄灾 特 性进行了仿真袁所得结果与模型仿真结果一致袁从而证明了模型的正确性援 关键词院多晶杂蚤郧藻栅袁高斯定理袁阈值电压袁速度过冲 孕粤悦杂院愿缘援猿园援原在袁愿缘援猿园援阅藻袁愿缘援猿园援栽增 模拟袁所得结果与模型仿真结果一致袁从而证明了 员郾 引 言 模型的正确性援 将硅基应变技术引入杂蚤器件和集成电路袁利用 杂蚤辕杂蚤郧藻赝晶生长产生的应变效应来改变材料性质袁 可显著提高器件中载流子的迁移率咱员暂援 由于应变硅 技术与杂蚤工艺相兼容袁具有维系杂蚤工艺巨大经济性 的优势袁所以在高性能小尺寸酝韵杂器件设计中被广 咱圆要源暂 泛应用 援 近几年袁有关应变杂蚤灶酝韵杂 的研究多集中在具 体工艺下器件性能的研究咱缘袁远暂 袁且对其阈值电压模 咱猿袁苑暂 图员摇 多晶杂蚤 郧藻 栅应变杂蚤灶酝韵杂器件结构 型的建立多是通过求解柏松方程获得的 援本文 员原赠 赠 基于多晶杂蚤郧藻栅应变杂蚤灶酝韵杂器件物理袁通过分析 器件沟道区域的电场分布袁运用高斯定理袁得到了 器件的准二维阈值电压模型援 同时注意到深亚微米 圆郾 物理模型的研究 小尺寸器件速度过冲效应比较显著袁而目前的器件 多晶杂蚤 郧藻 栅应变杂蚤灶酝韵杂器件结构如图员 电流模型对应变杂蚤 的速度过冲效应很少考虑袁且模 员原赠 赠 所示援器件采用倒掺杂分布袁即晕 约晕 袁较低的沟 型推导主要使用低场下恒定迁移率模型袁并多是仿 糟澡 遭 真优化咱猿袁愿暂 袁基于此袁本文从电荷密度连续性方程出 道区掺杂晕糟澡 能减少离化杂质散射袁另外虚拟衬底 发袁考虑了速度过冲效应袁引入与横向电场成函数 中掺杂较高袁所以耗尽层只扩展到虚拟衬底中袁而 关系的迁移率模型袁建立了适合小尺寸器件的电学 下面的郧藻组分渐变杂蚤郧藻缓冲层对阈值电压和电学 特性参数模型援通过数学仿真获得了阈值电压随沟 特性没有影响袁因此图员只表示出沟道和虚拟衬底 道郧藻组分尧多晶杂蚤 郧藻 栅 郧藻组分尧栅氧化层厚 部分援一般应变 杂蚤灶酝韵杂器件多以多晶 杂蚤做栅袁而 员原赠 赠 度尧应变杂蚤层厚度尧栅长以及掺杂浓度的变化规律援 本文采用了多晶 杂蚤员原赠 郧藻 栅援与多晶 杂蚤栅相比袁多赠 并用二维器件模拟器对器件表面势和陨鄄灾 特性进行 晶杂蚤员原赠郧藻 栅既可抑制栅耗尽效应袁提高栅氧化层赠 鄢国家部委项目渊批准号院缘员猿园愿园源园圆园猿袁怨员源园粤园愿园远园源园苑阅在园员园猿袁远员猿怨愿园员冤资助的课题援 覮耘鄄皂葬蚤造院贼葬燥择苑员远岳枣燥曾皂葬蚤造援糟燥皂 訫