硅漂移探测器工艺改进.pdfVIP

技术应用研究与开发 483 在研制 RPC 热中子探测器的工作中，Gd O 膜的最佳厚度、混合工作气体的最佳配比、高压 2 3 电场等参数是决定探测器性能的重要因素。因此先用 MCNP 和 Garfield 模拟软件对其进行模拟， 为设计和测试提供依据。 通过建立 RPC 的物理模型，使用 MCNP 模拟计算出了 RPC 热中子探测器的转化体 Gd2O3 的最 佳厚度 d=22 μm 。并且对于热中子，加膜的 RPC 灵敏度比不加膜的高了两个数量级。加转换体 Gd2O3 的RPC 大大提高了 RPC 对热中子的灵敏度，从而提高了探测器的效率。而对 1.25 MeV 的γ，RPC 加膜与否对灵敏度的影响不大。 利用 Garfield 计算出电子在气体中的漂移速度、扩散系数、汤生系数和吸附系数，从而得出了 ： ： ： ： 在不同的混合气体中 C2F4H2/C2HF5 i-C4H10 SF6=90 9 1 时间分辨最好，探测效率最高。在 电场E=72 000 V/cm （U=14 400 V ）附近时间分辨和探测效率达到一个相对平衡，时间分辨和探测 效率相对较好。 硅漂移探测器工艺的改进 孙 亮 硅漂移探测器（SDD，Silicon Drift Detector ）早期叫硅漂移室探测器 Silicon Drift Chamber （SDC ），是在高纯n 型硅片的射线入射面制备一大面积均匀的 pn 结，在另外一面的中央制备一 个点状的 n 型阳极，在阳极的周围是许多同心的 p 型漂移电极。在工作时，器件两面的 pn 结加上 反向电压，从而在器件体内产生一个势阱（对电子）。在漂移电极上加一个电位差会在器件内产生 一横向电场，它将使势阱弯曲从而迫使入射辐射产生的信号电子在电场作用下向阳极漂移，到达阳 极（读出电极）产生信号。 硅漂移探测器主要工艺流程为：硅片氧化；双面光刻；离子注入（B 、P 双面）；光刻引线孔； Al 电极溅射；光刻Al 电极；电极合金化。 在硅漂移探测器工艺过程中解决如下技术难点：1）双面器件的特殊双面光刻技术；2 ）器件单面 的两种不同的离子（磷和硼）注入技术。3 ）保护环技术的应用；4 ）硅漂移室探测器六边形设计改进。 在硅漂移探测器封装测试技术过程中，我们进行了如下改进：1）简化直流偏置，将原来的同 心圆设计改为单条螺旋线设计；2 ）考虑漂移电场均匀分布，将单条螺旋线设计成由外到内逐渐变 细的形状；3 ）新型双面器件温差电子制冷封装方式；4 ）测量并检测硅漂移室探测器各偏置电压对 探测器测量的影响。经过改进后，使用复位型场效应管，目前测得硅漂移室探测器对 5.89 keV 能 量分辨为 0.27 keV 。 EDS-B 爆炸物检测系统的软件设计与编制 宛玉晴，何高魁，田华阳，金余恒 基于核四极矩共振原理（简称 NQR ）的爆炸物检测技术是近几十年来发展起来的一种新兴探 测技术，它利用化合物中氮原子核四极矩与电场梯度间的相互作用来进行检测。爆炸物大都含有氮 元素，但由于化学结构的不同造成氮原子核所在位置的电场梯度不同，使得不同种类的爆炸物有不 同的核四极矩共振频率。因此，利用这种有如指纹般的核四极矩共振频率，就可以将爆炸物从其他 484 中国原子能科学研究院年报 2009 物品（含氮或不含氮）中分辨出来。由于这种技术具有的良好特异性，以及不含对人类和环境可能 造成危害的放射性同位素，又可以实现在线无损检测，所以被认为是值得推广应用的技术，尤其是 在违禁品检测领域。 但在NQR 原理的实际应用中，由于可检测的NQR 信号极其微弱，通常还不到 10 μV