原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第 15卷第 6期 功能材料与器件学报 Vo l15,No6
2009年 12 月 JOURNAL OF FUNCTIONAL MA TER IAL S AND D EV ICES D ec. , 2009
文章编号 : 1007 - 4252 (2009) 06 - 0575 - 06
基于 A lN 基板的不同 A l组分的 A l GaN 材料生长
周小伟 ,李培咸 ,郝 跃
(西安电子科技大学微电子学院 ,西安 7 1007 1;
宽禁带半导体材料与器件重点实验室 ,西安 , 7 1007 1)
摘要 :采用脉冲法生长了 200nm 厚的 A lN 薄膜 ,其 XRD 摇摆曲线的半高宽为 130arc sec, 表面粗糙
度为 2. 02 1nm 。以此 A lN 层为基板生长了不同 A l组分的 A lGaN 薄膜 ,高分辨率 XRD 测试发现 ,随
A l组分的增加 , A lN 基板层对 A lGaN 薄膜施加的压应力增大 , 同时 , A lGaN 薄膜在生长合并过程中
产生的张应力也增大 。在 A l组分为 0. 67 时 ,发现这两种应力处于一种平衡的状态 ,此时的 A lGaN
薄膜有最优的结晶质量 。
关键词 :脉冲 MOCVD 法 , A lGaN 材料 , 薄膜应力
中图分类号 : TN 304 , O484 文献标识码 : A
Grow th of A lGaN f ilm s w ith d ifferen t A l fraction on A lN tem p la te
ZHOU X iaowei, L I Peixian , HAO Yue, CHEN H aifeng, DU Yang
( Schoo l of M icroelectron ic s, Key L aboratory for W ide B and - gap Sem iconductor M aterials
and D evice s of M in istry of Education , X idian U n iversity, X i’an 7 1007 1, Ch ina)
A b stract:200nm A lN film is grown by pu lse MOCVD. It’s Fu ll w idth at halfM axim um ( FW HM ) of XRD
rock ing cu rve is on ly 130arc sec and root m ean square (RM S) roughne ss is 2. 02 1nm. U sed A lN a s tem
p late, A lGaN film s w ith differen t A l fraction are grown . H igh re so lu tion XRD m ea su rem en t indicate that
comp re ssive strain wh ich A lN temp late app ly to A lGaN film s and ten sile strain wh ich com e from coale s
cence of island s in A lGaN film s increa se w ith increa sing A l fraction. W hen the A l fraction is abou t 0. 67 ,
the ten sile strain and the comp re ssive strain is in
文档评论（0）