HT32系列单片机晶振ADC设计的注意事项及PCB布局指南.pdfVIP

HT32 系列单片机晶振ADC 设计的注意事项及PCB 布局指南 HT32 系列单片机晶振ADC 设计的注意事项及PCB 布局指南 文件编码：HA0301S 简介 该应用范例介绍盛群32-bit HT32 系列单片机关于晶体振荡器和ADC （模数转换器）的硬件 设计。晶体振荡器的架构是基于Pierce 振荡器，ADC 的设计是采用SAR 结构。同时该应用 范例还提供了PCB 布局指南。 晶体振荡器 HT32 系列单片机支持四种类型的振荡器 内部高速 RC 振荡器(HSI) ，外部高速晶振 (HSE)，内部低速RC 振荡器(LSI)和外部低速晶振(LSE) 。本章节介绍HSE 和LSE 晶体振荡 器。 晶振等效电路 图1 显示了一个接近主要振动模式下的晶振频率的常规等效电路。L , C , R 是晶体振荡 qz s qz 的动态参数。参数Cp 表示电极间的分布电容产生的分流电容。 图1 晶振等效电路 1 HT32 系列单片机晶振ADC 设计的注意事项及PCB 布局指南 表1 举例说明了标准8MHz 频率下的元件参数值。 等效元件 参数值 L 24.38mH qz Cs 0.016pF R 50 qz Cp 5pF 表1 标准8MHz 频率下的元件参数值 HT32 系列单片机中的Pierce振荡器 图2 显示了Pierce 振荡器的架构。基于Pierce 振荡器低功耗，低成本及稳定的优势，HT32 系列单片机的内部振荡电路设计采用了Pierce 振荡器。 图2 Pierce 振荡器架构 2 HT32 系列单片机晶振ADC 设计的注意事项及PCB 布局指南 HT32 系列单片机晶振的应用电路 图3 显示了HT32 系列单片机中Pierce 振荡电路。以下公式便于用户选择外部负载电容。 图3 HT32 系列单片机中的晶振电路 图3 中的参数描述-- X: 石英晶体或陶瓷谐振器 R : 外部反馈电阻 f Rext : 用来限制反相输出电流的外部电阻 CL1 和CL2 : 两个外部负载电容 Cstray : 印刷电路板和接头上的分布电容，它是寄生电容。  R 代表在高增益区反相器偏置的反馈电阻。R 不能太小，否则反馈回路可能不能振荡。 f f 在HT32 系列单片机中，8MHz HSE采用的R 为1M；32768Hz LSE采用的R 为10M。 f f  Rext 代表阻