离子辅助沉积法制备SiO_2介质薄膜的应力研究.pdfVIP

第33卷 第 12期 发 光 学 报 V01．33 No．12 2012年 12月 CHINESE J0URNALOF LUMINESCENCE Dec．，2012 文章编号 ：1000—7032(2012)12—1304—05 离子辅助沉积法制备 SiO2介质薄膜的应力研究 张金胜 ，张金龙 ，宁永强 (1．发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 130033 2．中国科学院大学．北京 100039) 摘要 ：在高功率垂直腔面发射激光器制作工艺中，生长出低应力、高质量、高稳定性的SiO介质层非常关 键。我们使用高效率 LaB 离子源辅助，在低放电电流条件下，在 GaAs衬底上沉积了SiO，并对退火的应力 影响进行了测试。在有离子辅助沉积时，对不同生长速率、不同厚度的应力影响进行了研究 ，对沉积过程进 行了分析。结果表明：离子辅助沉积的SiO：薄膜的应力远小于常规工艺条件下沉积的薄膜的应力，且退火后 应力变化小。 关 键 词：离子辅助沉积；SiO：薄膜 ；应力；退火 中图分类号：0484 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx1304 StudyofSiO2DielectricFilm StressGrown byTheM ethodofIonAssistedDeposition ZHANGJin—sheng ，ZHANGJin．1ong，NINGYong．qiang (1．StateKeyLaboratoryofLuminescenceandApplications，ChangchunInstituteofOptics FineMechanicsandPhysics，ChineseAcademyofSciences，Changchun130033，China； 2．UniversityofChineseAcademyofSciences，Beijing100039，China) $CorrespondingAuthor，E—mail：ningyq@ ciomp．ac．cn Abstract：ItiscriticaltoachievehighqualityandstabilitySiO2barrierinmakinghigh—powersemi— conductorlasers，SiO2barrierlayerwasgrownonGaAssubstratesusinghighefficiencyLaB6ionas— sistedinlow current．Thestresseffectsweretestedandanalyzedafterannealing．Thestresscondi— tionsofdifferentthicknessanddifferentgrowthrateswereexperimentallyinvestigatedandthedeposi- tionprocesswasanalyzed．Theresultsshow thatthestressofSiO．film undertheconditionsofiOff． assisteddepositioniSfarlessthan theconventionaldepositionconditions．ThestressofSiO film undertheconditionsofion．assisteddepositionchangessmallerafterannealing． Keywords：ion—assisteddeposition；SiO2film ；stress；annealing