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Ga 和 Na 对 CIGS 太阳电池性能的影响 陈菊芳 沈辉 中山大学太阳能系统研究所 摘 要：本文主要讲述了CIGS太阳电池中两个影响性能的主要元素Ga和Na。 CIGS的带隙随着Ga的变化而有变化，但是不是Ga越多性能越好的，因为短路电流 是随着Ga的增加对长波的吸收减小而减小的。在CIGS的制作过程中，通过过程控 制得到不同的Ga偏析对电池性能有很大的影响。Na提高太阳电池的性能是毫无疑 问的，可是Na存在于CIGS的何处，Na影响CIGS的机理还没有一个一致的说法。 关键词：CIGS Ga偏析 Na i 自S.Wagner 等[ ]在1974年第一次报道单晶CIS太阳电池以来，现在CIGS太 ii iii 阳电池的效率已经达到19.5%[ ]，在聚光条件下（14太阳）效率达到21.5%[ ]， 组件的效率已经超过13%。CIGS薄膜太阳电池带隙可在1.02－1.7eV之间调节；根 据计算0.5μm就可以吸收99％的太阳光； 衬底材料的可以是不锈钢，Al,聚合物， 玻璃等，CIGS太阳电池因为内在的一些独特性能而被誉为第三代太阳电池。其中 带隙可调主要是加入不同的Ga，形成不同的x=In/（Ga＋In）比, x和带隙之间存 iv 在如下的关系，Eg (eV)=1.02+ 0.67x +0.11x(x-1) [ ]。增加Ga主要是通过把 导带向上移来增加带隙。 1 Ga对太阳电池性能的影响 因为一种带隙的太阳电池不能最大限度的利用太阳能，也就是光子能量太小 的产生不了电子空穴对，能量太大的光子也只能激发一个电子空穴对，多余的能 量转化成对太阳电池不利的热能。因此从利用太阳能提高太阳电池效率的角度出 发，希望太阳电池有很多的带隙尽量吸收更多的太阳能。而 CIGS 太阳电池的制 作方法有蒸发，溅射，电沉积，印刷等,这些方法很容易制成具有Ga成分偏析的 不同层而得到不同的带隙。据此可以在同一个电池中设计一个低带隙层增加电 流，设计一个高带隙层增加电压。 调节Ga制作不同带隙的CIGS太阳电池被大量的研究，研究主要分为以下几 种类型如图1： （1）Ga从前向后电极逐渐增加，称后偏析；这种逐渐增加的带隙形成一个准电 场，这种准电场把电子推向空间电荷区，从而减少了电子在背电极的复合，产生 电流的少数载流子就增加了，电流也增加。在CIGS电池的制作过程中，Ga是向 背电极扩散的形成背场提高电池的性能。但是也给想在前面制作宽带隙造成了困 难。这种后偏析对 CIGS 特别薄的太阳电池性能的提升作用非常明显，FF 和 Voc 明显提高。如 CIGS 层仅厚 0.5μm，背电极是非常有害的，但是后偏析 Ga 可以 钝化背电极从而使电池的效率提高2%左右。 （2）Ga从后电极向前逐渐增加，称前偏析；这种方式不能提高效率, Jsc和FF 减少, 原因是这种成分梯度形成了一个反向的电场不利于载流子的收集 [v,vi]。 图1 一维CIGS吸收层带隙情况 （3）Ga从中间某个位置向前后逐渐增加，称双偏析；按照理论，这种两个宽带 隙夹一个低带隙的结构，既能提高电流，也能提高电压，这种太阳电池的性能应 该是最好的。不过M. Gloeckler[vii]的研究表明，Eg2的位置对电流密度Jsc的 影响很大：dmin(最小的带隙到异质结的距离)在0.5－2.5μm之间时，太阳电池 的性能很一般；dmin小于0.3μm时，该种太阳电池的电流密度Jsc也可以通过后 偏析得到； dmin很大时，电流密度Jsc急剧减小。dmin比较小的时候，FF有所增 加，但是dmin在0.2－1.5μm之间时，FF有一定程度的减小。当dmin落在空间电 荷的正中间时，太阳电池的效率可以提高 1%。相对于可以提高效率 0.7%的后偏 析，这种双偏析的优点也不是特别的明显。 CIGS 的性能