TiO2／VO2双层薄膜的制备及光电性能研究.pdfVIP

第 35卷 第 12期 合肥 工业 大 学学报 (自然科学版) Vo1．35No．．12 2012年 12月 JOURNALOFHEFEIUNIVERSITY OFTECHNOLOGY Dec．2012 Doi：10．3969／j．issn,．1003-5060．2012．12．000 TiO2／vo2双层薄膜的制备及光电性能研究 吕晓庆， 李合琴， 周 矗， 崔 跃， 何 蓓， 刘 涛 (合肥工业大学 材料科学与工程学院，安徽 合肥 230009) 摘 要：文章采用磁控溅射法在玻璃基底上分别制备VOz单层薄膜与Ti()z／V()2双层薄膜，并在 Ar气中进 行退火。用x射线衍射仪、扫描电镜、紫外一可见光分光光度计、I．CR测试仪对薄膜样品的晶体结构、表面形 貌、可见光透过率、电阻一温度特性进行测试。结果表明，TiO2／V()z双层薄膜的相变温度降低到56℃，电阻 温度系数为一1．087／℃，可见光透过率提高了2O ～3O ，且薄膜生长致密均匀。 关键词：TiO2／VO2双层薄膜 ；相变温度；电阻温度曲线；可见光透过率 中图分类号 ：TB43 文献标识码：A 文章编号：1003—5060(2012)12—1659—03 PreparationofTiOe／VO2bilayerthinfilmanditsphotoelectricproperties I Xiao-一qing， LIHe-qin， ZHOU Chu， CUIYue， HEBei， LIU Tao (SchoolofMaterialsScienceandEngineering，HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009，China) Abstract：TheVO2monolayerthinfilmandTiO2／vo2bilayerthinfilmwerepreparedbymagnetron sputteringonglasssubstrates，andthenannealedinAratmosphere．Theircrystalstructures，surface morphologies，visiblelighttransmittancesandresistance-temperaturecharacteristicsweremeasured byX-raydiffraction，scanning electronmicroscope，UV—visiblespectrophotometerandICR tester． Theresultsshow thatcomparedwithVO2monolayerthinfilm，thephasetransitiontemperatureof TiO2／vO2bilayerthin film decreasesto56 ℃ and itstemperaturecoefficientofresistanceis 一 1．087／。C．TiO2／vo2：bilayerthinfilmbecomesmoredenserandsmootheranditsvisiblelighttrans— mittanceincreases2096／～309／6． Keywords：TiO2／VO2bilayerthinfilm；phasetransitiontemperature；resistance—temperaturecurve； visiblelighttransmittance VO 薄膜具有高的电阻温度系数以及优 良 1 实 验 的热敏性能，在智能窗l】]、光电开关、非制冷红 外辐射热计等方面有重要 的应用前景。目前 实验所用镀膜设备为中国科学院沈阳中科仪 VOz薄膜的制备方法主要有磁控溅射法_3]、真空 器所研制的FJI560B1型高真空磁控与离子束联 蒸镀法、脉冲激光沉积及溶胶一凝胶法l4等。本文 合溅射设备。首先用磁控溅射法在玻璃基底上制 采用反应磁控溅射法在玻璃基底上制备了VOz 备出VO2单层