Compton散射对时变磁化等离子体:光子晶体缺陷模的影响.pdfVIP

Compton散射对时变磁化等离子体:光子晶体缺陷模的影响.pdf

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第32卷 第4期 核 聚 变 与 等 离 子 体 物 理 V_01-32.No.4 2012年 l2月 NuclearFusionandPlasmaPhysics Dec.2012 文章编号:0254—6086(2012)04—0307—05 Compton散射对时变磁化等离子体:光子 晶体缺陷模的影响 文 桦 ,郝晓飞2,郝东山2 (1.黄淮学院电子科学与工程系,驻马店 463000;2.黄淮学院信息工程学院,驻马店 463000) 摘 要:应用多光子非线性 Compton散射模型和分段电流密度卷积时域有限差分法,将入射光和 Compton 散射光作为形成缺陷模的机制,研究了Compton散射对具有单一缺陷模的时变磁化等离子体光子晶体缺陷模的影 响。结果表明:与Compton散射前相比,入射光频率低于等离子体频率时,禁带中仍存在明显的缺陷模,其频率 随等离子体驰豫时间的增大而缓慢增大 ;等离子体弛豫时间相等时,等离子体均匀分布的禁带透射系数峰值比 Epstein分布HerJ,,两者的缺陷模特征都比较明显,但两者的禁带宽度及缺陷模之间的区别明显减小。 关键词:磁化等离子体光子晶体 ;禁带;缺陷模 ;时域有限差分法;Compton散射 中图分类号:O431 文献标识码:A 1 引言 率分布较小或为零处。之后,章海锋等人[】 J于旨出, 自2003年Hojo等人…提出等离子体光子晶体 改变温度、等离子体密度和上升时问等,可实现对 (PPC)概念以来,因其具有独特的光子带隙特性 2【’ 禁带控制,获得不同的禁带周期性[】’】。刘崧等人 , 且有重要应用前景,如用于高效太阳能电池反 ¨20J通过调控 PPC缺陷等离子体层参数,实现了 射器设计[4]、压力传感光纤5【】等,故引起了人们的 可调滤波及滤波通道的调整 。禹定臣等人[23] 高度关注 ,。Shiveshwari等人[8~1o指出,等离子 指出,Compton散射对缺陷层 PPC滤波有重要影 体频率、温度、密度,介质介电常数、厚度,引入 响。章海锋等人[2】于旨出,改变等离子体上升时间和 缺陷层等都会对PPC带隙产生重要影响,用包层介 密度可获得不同的缺陷模。应指出的是,以上研究 质柱/基质光子晶体与空气柱 /基质光子晶体组合的 等离子体上升时间和密度对磁化 PPC缺陷模的影 光子晶体,可得到从低频到高频的组合宽带隙…】。 响时,未考虑Compton散射的影响。实验表明,等 Sakai等人 ¨2J指出,PPC色散和耗散使小于等离子 离子体中的激光强度达到 10W.cm 数量级以上 体频率的电磁波几乎被完全反射,透射波有类似一 时,非线性Compton效应开始显现口。可见,散射 般光子晶体的带隙特性。何修军 1【3J提出了由光子带 对缺陷模影响是不能忽略的。本文正是对该问题进 隙结构得到给定波长为通带或禁带的光学传输矩 行了研究。 阵法。倪牟翠等人L1J分析了套用电子理论作为PPC 机制的弊端,提出了将光流线量子理论作为光子带 2 Compton散射对光子缺陷模的影响 隙结构理论,指出光子带隙对应光能量在介质中儿 PPC中Compton散射(简称散射)频率为 : 收稿 日期:2012—03—08;修订 日期:2012—08—04 基金项 目:河南省基础与前沿技术资助项 目(0092300410227) 作者简介:文桦(1969一),女,河南西平人,副教授,硕士,主要从事信号传输研究。 308 核聚变与等离子体物理

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