大面积纳米线及纳米带阵列的制备研究.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 )% $$( ， ， ， GK; 0)% 5K 0 +,YIC9IO $$( （ ） #$$$*’($S$$(S)% $ S ##$*$1 T68T 3UVWX6T WX5X6T $$( 6B:? 0 3BO= 0 WKD 0 大面积 !# % 纳米线及纳米带阵列的制备研究! ! $ ! 海 阔 唐东升 袁华军 彭跃华 罗志华 刘红霞 陈亚琦 余 芳 羊 亿 （低维量子结构与调控教育部重点实验室，湖南师范大学物理与信息科学学院，长沙 #$$%#） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$% ’ #( $$% % #) 以铁箔为原材料和基片，通过控制热氧化过程中的宏观实验条件（载气流量及其组分、压强、温度分布和反应 时间等），实现了 一维纳米结构的可控生长，获得了大面积（ ）、单分散性好、沿［ ］方向生长 *+, - #$ .. / #$ .. ##$ ! ’ 的 纳米带或纳米线阵列 对不同宏观实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征和分析，认为热 *+, - 0 ! ’ 氧化过程中 一维纳米结构的生长遵循类似气 固机制的顶端生长模式，生长点铁原子和氧原子比是控制 *+, - * * ! ’ ! +, - 一维纳米结构生长的关键因素0 ’ 关键词：*+, - ，一维纳米结构，热氧化法 ! ’ ： ， ， ’()) 1#1 1%1) 2))$3 直接生长法，不需要制作模板也不需要非常高的温 #E 引 言 度，能够直接制备大面积一维纳米结构阵列0 但对 其生长机理的认识依然存在争议，同时所制备的一 利用被传统微电子学忽略的电子自旋研发新一 维纳米结构多数具有多分散性0 代电子器件，利用自旋流代替电流传递信息，将具有 本文以铁箔作为原材料，采用热氧化法制备 * ! 低能耗、快速和高密度集成等优势0 因此，近年来具 +, - 一维纳米结构，通过控制反应气流大小、气