北京正负电子对撞机（BEPC）正电子源的优化.pdfVIP

维普资讯 第l·卷第2期 高 能 物 理 与 核 物 理 Vo1．14．No．2 1990年 2月 FIJGH ．ENERGYPHYSICSANDNUCLEAR 州 0 Feb．， 1990 北京正负电子对撞机 (BEPC) 正电子源的优化 裴目玺 谢家麟 周 述 孙松岚 (中国科学院高能物理研究所，北京) 一 要 孝文在横拟计算乖粒子跟I踪的基础上，进行了BEPC正电子j幕的优化设计， 作 了实验检验，说明了实验与理论符台得很好．文中给出了一些重要的结论，如 从束斑论证了电子枪流强增加的效果；从产额论证 了过渡线圈和长螺线管的磁 场强度及匹配磁场的峰值位置的影响；两／卜最佳注入相位的存在及其重要意义； 及实践证明正、负电子可以不必分离，因而无须使用昂贵、复杂的高额分离器 等等。 一 、 引 言 自从stanfo埘于 1958年在 StanfordMarkIII直线加速器上产生正电子束 之后 ，由 于正 电子束有许多用途 ，世界上许务实验室都先后建立了正电子加速器 。在正电 子加速器上，正电子源使用高能 电子轰击金属靶，在 电子一伽玛簇射的基础上产生正电子． 由这种级联簇射产生的正电子有着很宽的能谱和很大的横向动量分量 ，并且非常难于被 后面的加速系统所俘获。所以必须用一个前面很强后面逐渐减弱的纵向磁场，把横 向动 量 ()很大而束流截面 (半径 ，)很小的相空间，转换为横向动量较小横截面虽大但可 被加速管的孔径所接收的相空间 ，然后，正电子束在台适的相位进入加速管得到加速，并 受到相当长的均匀螺线管磁场的聚焦。此外 ，打靶 电子束流的性能也将严重地影响正电子 的产额 (Io~／i-GeV)，这里 ，+是 由加速系统所浮获的正电子束流强度 ，，一是轰击 正 电子靶的电子束流强度 ，它 的能量 则 以 GeV 表 示，GeV 同时也 是 它 的能量 单 位。 BEPC 是 由两束能量各为 2．8GeV 的正负电子实现对撞。为了达到设计的峰值亮度 1．7×l0“cm一 和适当的平均亮度，正电子产额必须足够强，在半小时之 内应积累到 3×l0“个．正电子的优化就是在给定的条件下，选择系统的参数，以求获得最高产额． 正 电子源是 由正电子转换器(包括正电子靶和正电子透镜)、过渡线圈、聚焦线圈和加 速部件等组成。图 1是 BEPC正电子源结构的示意图。正电子是 由大约 150MeV 的电子 车文 L989年 3月 20日收到。 维普资讯 第 2期 裴国玺等：北京正负电子对撞机 (BEPC)正电子碌的优化 111 { M-P ／-I (8) I (T】 l (6) I●Ih‘●m e lT【 s 1 l ns I 、 { P＼ e 】00 ； — — _一 ● e 250 图 1 BEPC 正电子碌结构示意图 ：第 号加速管 ；(上面括号中的数字表示加速管的序号) cc=补偿线圈； Di：第 i组导向磁铁 ； Kt：第 i个速调管 ； LC：长螺