一种金属填充硅通孔工艺的研究.pdfVIP

第32卷 第2期 固体电子学研究与进展 Vo1．32，No．2 2012年 4月 RESEARCHPROGRESS0FSSE Apr．．2012 一 种金属填充硅通孔工艺的研究 肖胜安 程晓华 吴智勇 许升高 季 伟 何亦骅 (I-海华虹 NEC电子有限公司，上海 ，201206) 2011—09—26收稿 ，2011—12—06收改稿 摘要 ：硅通孔 (Throughsiliconvia)的互连技术是 3DIC集成中的一种重要工艺 。报道 了一种高深宽比的垂直 互连穿透硅通孔工艺 ，其通孔 的深宽比达到 5o以上 ；研究了利用钨填充硅通孔 的一些关键工艺，包括阻挡层淀积 工艺和钨填充工艺，分析 了不 同填充工艺所造成的应力的变化 。最后获得 了一种深宽比达到 58：1的深硅通孔无 缝填充 。 关键词：硅通孔；金属钨 (w)；覆盖率；无缝填充 中图分类号：TN305 文献标识码 ：A 文章编号：i000—3819(2012)02—0180—04 StudyonM etalFilledThroughSiliconViaProcess XIAO Shengan CHENG Xiaohua WU Zhiyong XU Shenggao JIWei HEYihua (ShanghaiHuaHongNEC ElectronicsCompany，Limited，Shanghai，201206，CHN) Abstract：Throughsiliconvia(TSV)isaimportanttechniqueininterconnectionof3D ICin— tegration．Inthispaper．aprocesstorealizetheTSV withhighaspectratioispresented．Theas— pectratiooftheTSV ishigherthan 50：1．Somekeyprocessesincludingbarrierlayerdeposi— tion，tungsten (W )depositionwerestudied．Theimpactonstressofdifferentprocesseswasana— lyzed．A seamlessW filledTSV wasobtainedinwhichtheaspectratioofviareached58：1． Keywords：TSV；tungsten (W )；coverage；seamlessfilling EEACC：B2O 壁垒，在满足一定功耗的条件下进一步提高芯片集 言 成度、运算速度 [1]。TSV互连技术已成为3D集成工 艺 中的一项重要技术 。 在集成电路制造 中，持续不断地追求更高 的集 硅通孔工艺是将制作在硅片上表面的电路通过 成度和更快 的运算速度是推动整个产业发展的巨大 硅通孔中的填充金属连接至硅片背面，从而使集成 动力。按照摩尔定律，通过不断缩小晶体管的尺寸来 电路布局从传统的二维平面排列发展至三维立体堆 实现更高的集成度是多年来主流技术发展的路线 ， 叠，再结合背面减薄工艺和三维封装工艺，能够使元 但随着 晶体管尺寸逐渐逼近物理极 限，芯片互连的 件布局更加紧凑，大幅提高芯片集成度 。除三维封装 全局延迟、功率损耗等 已逐渐成为制约芯片集成度 之外 ，一些射频器件如RFLDMOS、SiGeHBT(Het— 和运算速度 的壁垒。采用 3D封装技术和硅通孑L erojunctionbipolart