MnxGe1x稀磁半导体薄膜的结构的研究.pdfVIP

第56卷第9期2007年9月 物 理 学报 ’ 1000-329012007／56(09)／5471．05ACTAPHYsICASINICA @2007 Chin．Plays．soc． MnzGel一J稀磁半导体薄膜的结构研究* 孙 玉1’2’ 孙治湖1’ 朱三元1’2’ 史同飞1’2’ 叶 剑1’ 潘志云1’ 刘文汉2’ 韦世强1’’ 1)(中国科学技术大学国家同步辐射实验室，合肥230029) 2)(中国科学技术大学物理系，合肥230026) (2007年1月23日收到；2007年2月25日收到修改穑) 的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律．XRD结果表明，在Mn的含量较低(7．0％)的Mno．。瓴．∞样品中，只能 要以替代位的形式存在，占75％左右的比例；在Mno．。C．eo．。和Mno．。‰．