p型ZnO薄膜的研究进展.pdfVIP

维普资讯 第 l8卷第 5期 常 州 工 学 院 学报 VO1．18 No．5 2005年 lO月 JournalofChangzhouInstituteofTechnology Oct．2005 P型ZnO薄膜的研究进展 黄兴奎 孙奉娄 (中南民族大学电子与信息工程学院，湖北 武汉 430074) 摘要：ZnO是一种多用途的半导体材料，一直受到国内外学术界的广泛关注。自1997年发现 ZnO薄膜的室温紫外光发射以来，ZnO薄膜的制备及其光电子特性的研究成为新的研究热点。由 于ZnO薄膜中存在较强的 自补偿机制，使得很难有效地进行P型元素的掺杂。本文介绍了ZnO薄 膜P型掺杂的理论和国内外通用的掺杂方法，对不同方法制备的P型ZnO薄膜的特点进行了比较 分析。 关键词：ZnO薄膜；P型掺杂；马德隆能；自补偿效应 中图分类号：0472．3 文献标识码：A 文章编号：167l一0436(2005)05—0044—05 0 引言 纯ZnO及其掺杂薄膜具有优异光电性能，用途广阔，而且原料易得、价廉、无毒，制备方法多样，成 为 目前最具开发潜力的薄膜材料之一。ZnO薄膜在表面声波器件、太阳能电池、压电器件、压敏器件、气 敏元件、缓冲层、反射热镜、紫外与红外光阻挡层等诸多领域得到了广泛应用。随着ZnO光泵浦紫外受 激辐射的获得和P型掺杂的研究，ZnO薄膜作为一种新型的光电材料 ，在紫外探测器、LEDs、LDs等领 域也有着巨大的发展潜力。 目前单色显示的红色和绿色LED显示器件已有商品问世，但彩色显示器至今未商品化，其主要原 因是蓝色电致发光的亮度或色纯度达不到实用水平 ，无法利用三基色实现彩色显示。ZnO是一种新型 的Ⅱ一Ⅵ族直接带隙宽禁带化合物半导体材料，具有优异的光学和电学特性，具备了发射蓝光或近紫外 光的优越条件，有望开发出紫外、绿光、蓝光等多种发光器件。实现ZnO基光电器件的关键技术是制备 出优质的P型ZnO薄膜。本征ZnO是一种n型半导体，必须通过受主掺杂才能实现P型转变。但是由 于ZnO中存在较多本征施主缺陷，对受主掺杂产生高度 自补偿作用，并且受主杂质固溶度很低，难以实 现P型转变，导致无法制得半导体器件的核心——zn0p—n结结构，极大地限制了ZnO基光电器件的 开发应用。目前P型ZnO的研究已成为国际上的研究热点。它对于深入研究ZnO薄膜晶体生长和掺 杂机理、试制新型ZnO短波长发光器件、拓宽ZnO薄膜应用领域等方面具有重要意义。 1 P—ZnO薄膜的研究现状 本征ZnO薄膜为高阻材料，电阻率高达 lO Q ·cm，由于ZnO薄膜易形成氧空位和锌填隙原子，这 些缺陷在ZnO晶带中引入施主能级，使ZnO薄膜呈n型。通过掺杂可以改变 n型ZnO薄膜的禁带宽 度和电阻率。常见的掺杂元素包括第Ⅲ族元素 (B，AI，Ga，In)，1V族元素(si，Ti，Ge，Zr，sn，Hf，Pb)，V 族元素(N，P，As，Sb，Bi)，稀土元素 (La，Pr)以及Li，对ZnO中掺 研究得较为充分 J。目前对于n型 收稿 日期：2005-06-27 维普资讯 第5期 黄兴奎，孙奉娄：p型Zn0薄膜的研究进展 45 ZnO薄膜的电学性能研究已经比较充分，要使 ZnO薄膜制成可以实用的光电器件，必须制备 ZnO的 P—n结。目前人们对于ZnO材料中的各种缺陷对材料性能的影响尚不太清楚，而P型ZnO薄膜的制备 又有很大的难度，因此，对ZnO薄膜中缺陷的研究及 n型ZnO的转型，将成为今后的研究重点。 制备高阻或低阻P型ZnO薄膜需要掺杂施主或受主杂质。掺杂的方法一般有生长后的热扩散方法、 生长过程中的气相掺杂和离子注入等方法，但较常用的一般为热扩散法和生长过程中的气相掺杂方法。 ZnO中的本征缺陷共有6种形态：(1)氧空位V。；(2)锌空位V ；(3)反位氧(即锌位氧)Oz；(4) 反位锌(即