六方GaN空位缺陷的电子结构.pdf

2010年 11月 四川师范大学学报 (自然科学版) NOV．，2010 第33卷 第6期 JournalofSichuanNormalUniversity(NaturalScience) Vol|33．No．6 六方 GaN空位缺陷的电子结构 介伟伟 ， 杨 春 “ (1．四川师范大学 物理与电子工程学院，四川成都610066； 2．电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054) 摘要：用基于密度泛函理论平面波超软赝势法对六方CaN空位型本征点缺陷进行了理论研究．计算了 GaN、Ga㈣75N，Ga0750N，GaN0875和GaN。750等5种模型(Ga和N不同比例情况下的空位型GaN)的能带结构、 差分电子密度、电子态密度，详细讨论了各种空位缺陷对 GaN性能的影响．结果显示，带隙宽度随着 Ga空 位或 N空位的增加而不断增大，Ga空位是一种受主缺陷，N空位是施主缺陷；N空位的增加导致 GaN电导 率的下降． 关键词：第一性原理 ；六方GaN；能带结构；态密度 中图分类号：0472 ．1；0484 文献标志码：A 文章编号：1001—8395(2010)06—0803—05 doi：10．3969／j．issn．1001—8395．2010．06．017 六方纤锌矿结构是 GaN最稳定、最常见的结 研究；这些方法大多是通过计算不同电荷态缺陷的 构，属 于直 接带 隙半导体，室温下带 隙宽 E = 形成能随费米能级的变化来确定杂质能级． 3．39eV，具有发光效率高、电子漂移饱和速度高、 为了更加详细了解空位缺陷对GaN晶体产生的 热导率高、硬度大、介电常数小、化学性质稳定 以及 各种影响，本文着重关注了高密度 Ca空位缺陷和N 抗辐射、耐高温等特点，在高亮度蓝光发光二极管、 空位缺陷存在时的六方 GaN的晶格常数和能带结构 蓝光激光器和紫外探测器等光 电子器件以及抗辐 的变化，并分别从差分 电子密度和电子态密度这两 射、高频、高温、高压等电子器件 领域有着 巨大 个方面讨论了空位缺陷对 GaN性能的影响，进一步 的应用潜力和广阔的市场前景，引起人们的极大兴 验证了V 是一种受主缺陷，V 是施主缺陷． 趣和广泛关注． 1 物理模型与计算方法 研究半导体材料缺陷及其杂质能级除了各种 实验方法外，模拟计算也是一个很好的手段．关于 GaN中的杂质及本征缺陷的模拟计算 已经有很多 报道 ，J．Neugebauer等 运用第一原理总能量计算 的方法研究了GaN本征缺陷的电子结构 、缺陷形成 能；P．Boguslawski等 采用从头计算分子动力学， 计算了六方 GaN的72个原子的本征缺陷；康俊勇 等5用第一原理计算的方法研究了C、0杂质 、本 征缺陷等并认为它们是黄光和蓝光的可能物理起 图 l理性的 GaN超 晶胞模型 源 ；I．Gorczyca等 用从头计算以及全势线性多重 Fig．1 SupercellmodelofidealGaN 轨道方法 (fu11一potentiallinearmuffin—tinorbita1)， 即FP—LMTO 方法，计算了立方 GaN的32个原 1．1 物理模型 理想的GaN是六角纤锌矿结构， 子的本征缺陷能级；沈耀文等 用局域密度泛函线 空间群为P63mc，对称性为C6v一4，Ga的六角密堆 性刃盒轨道方法 ，对六方结构 的GaN本征缺陷以及 积和N的六角密堆积在 c轴方 向反 向嵌套．Ga原 C、0替位杂质和杂质复合物的